3月10日，科友半導(dǎo)體在官方微信發(fā)布消息稱，公司已在12英寸碳化硅（SiC）晶片加工領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電型與半絕緣型雙突破，并成功打通從晶體生長到晶片加工的大尺寸全鏈條核心技術(shù)，標(biāo)志著我國大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化邁上新臺階。

圖片來源：科友半導(dǎo)體

根據(jù)科友半導(dǎo)體的介紹，此次突破性進(jìn)展集中在加工環(huán)節(jié)：一是設(shè)備兼容性優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)同等主機(jī)中心距下由8英寸向12英寸的“零改裝”升級，顯著降低客戶產(chǎn)線轉(zhuǎn)型成本；二是采用拓?fù)鋬?yōu)化技術(shù)開發(fā)大直徑薄壁游星輪結(jié)構(gòu)，兼顧高強(qiáng)度與輕量化，提升傳輸穩(wěn)定性；三是改進(jìn)非標(biāo)準(zhǔn)漸開線齒形設(shè)計，降低嚙合沖擊，適配低速高扭矩高精度加工場景；四是引入數(shù)字孿生仿真平臺，可在虛擬環(huán)境中全流程模擬驗(yàn)證，縮短研發(fā)周期并降低試錯成本。

產(chǎn)品性能方面，科友半導(dǎo)體12英寸碳化硅晶片已實(shí)現(xiàn)總厚度偏差（TTV）≤1.0μm、局部平坦度（LTV）≤0.5μm、表面粗糙度（Ra）≤0.2nm，可滿足大功率電子器件及射頻器件制造所需的高質(zhì)量襯底要求。

近年來，科友半導(dǎo)體在12英寸碳化硅領(lǐng)域持續(xù)突破。2025年9月，科友半導(dǎo)宣布體依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶爐及熱場技術(shù)，成功制備出12英寸碳化硅晶錠。2025年10月中旬，科友半導(dǎo)體宣布在成功制備12英寸半絕緣碳化硅單晶。

業(yè)內(nèi)分析認(rèn)為，12英寸碳化硅晶片因單晶圓芯片產(chǎn)出量更大、單位成本更低，是全球第三代半導(dǎo)體向高效低成本發(fā)展的重要方向?？朴寻雽?dǎo)體的全鏈突破不僅打破了國外在大尺寸SiC加工領(lǐng)域的技術(shù)壁壘，也有望加速新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅躍iC器件的規(guī)?；瘧?yīng)用。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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