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碳化硅IDM企業(yè)芯片，成功上車！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 17 日 14:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月13日，芯聚能半導(dǎo)體官微宣布，其在碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了關(guān)鍵性飛躍，公司自主設(shè)計的車規(guī)級SiC芯片已正式規(guī)?；瘜?dǎo)入主驅(qū)動模塊產(chǎn)線，標(biāo)志著國內(nèi)首次成功實現(xiàn)“芯片設(shè)計-模塊制造-整車驗證”全鏈條自主可控，并已批量上車應(yīng)用。 圖片來源：芯粵能 這一成就的背后，是芯聚能與芯粵能...  [詳內(nèi)文]

新微半導(dǎo)體突破：砷化鎵光電探測器工藝平臺亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 17 日 14:07 | 分類 企業(yè) , 砷化鎵
6月17日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡稱“新微半導(dǎo)體”）宣布正式發(fā)布基于砷化鎵（GaAs）的高速和陣列光電探測器（PD, Photodetector）工藝平臺。該平臺的推出，標(biāo)志著新微半導(dǎo)體在高速數(shù)據(jù)通信與光通信領(lǐng)域業(yè)務(wù)板塊的進(jìn)一步拓展，可以為客戶提供更豐富、更高效和更可靠的光電...  [詳內(nèi)文]

天域半導(dǎo)體赴港上市新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 17 日 14:06 | 分類 企業(yè)
證監(jiān)會官網(wǎng)信息，2025年6月13日，天域半導(dǎo)體獲港股上市備案通知書，允許發(fā)行不超過46,408,650股普通股，并于港交所上市。業(yè)界指出，這意味著天域半導(dǎo)體已獲得進(jìn)入港交所聆訊階段的前置條件。 資料顯示，天域半導(dǎo)體成立于2009年，主要業(yè)務(wù)是研發(fā)、生產(chǎn)和銷售#第三代半導(dǎo)體 碳化...  [詳內(nèi)文]

華為哈勃、小米等投資，縱慧芯光FabX成功通線
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:58 | 分類 企業(yè)
6月11日，國內(nèi)領(lǐng)先的光芯片企業(yè)縱慧芯光（Vertilite）宣布，其位于江蘇常州的FabX項目，歷時一年建設(shè)，完成了廠房設(shè)計、建設(shè)及設(shè)備選型調(diào)試，并攻克了產(chǎn)品外延結(jié)構(gòu)設(shè)計、Fab工藝開發(fā)等多項技術(shù)難題，成功實現(xiàn)項目通線。 圖片來源：縱慧芯光 這一里程碑不僅標(biāo)志著縱慧芯光在高端...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)，港股IPO獲備案！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:58 | 分類 企業(yè)
6月13日，天岳先進(jìn)發(fā)布公告稱，公司于近日收到中國證監(jiān)會出具的《關(guān)于山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司境外發(fā)行上市備案通知書》。該公司擬發(fā)行不超過87,206,050股境外上市普通股并在香港聯(lián)合交易所上市。 圖片來源：中國證券監(jiān)督管理委員會 天岳先進(jìn)表示，公司申請發(fā)行境外上市外資股（...  [詳內(nèi)文]

復(fù)旦碳化硅器件新突破：成功制備兩種布局 1.7kV MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 16 日 13:57 | 分類 碳化硅SiC
近日，在行業(yè)會議上，復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊宣布，其基于電荷平衡理論，通過對離子注入工藝的深度優(yōu)化，成功設(shè)計并制備出正交結(jié)構(gòu)和平行結(jié)構(gòu)兩種不同布局的1.7kV 4H-SiC電荷平衡輔助SiC MOSFET器件。這一創(chuàng)新成果，相較于傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)構(gòu)，在保障器件性能的同時，不僅大幅降低了制造成本...  [詳內(nèi)文]

聚焦AI和HPC應(yīng)用，Coherent發(fā)布突破性金剛石SiC材料
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:05 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
隨著人工智能（AI）和高性能計算（HPC）領(lǐng)域的快速發(fā)展，芯片功耗不斷攀升，散熱問題已成為限制性能和可靠性的關(guān)鍵瓶頸。6月13日，美國Coherent（高意）宣布，推出其突破性的金剛石-碳化硅（diamond-SiC）復(fù)合材料，旨在徹底改變?nèi)斯ぶ悄芎透咝阅苡嬎鉎PC應(yīng)用中的熱管理...  [詳內(nèi)文]

GaN驅(qū)動電源革新，多款氮化鎵電源產(chǎn)品發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 13 日 17:00 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，氮化鎵（GaN）技術(shù)正以其卓越的性能，為電源領(lǐng)域帶來一場深刻變革。近期，MPS芯源系統(tǒng)和小米生態(tài)鏈企業(yè)酷態(tài)科，分別推出集成氮化鎵技術(shù)的新產(chǎn)品，引發(fā)行業(yè)廣泛關(guān)注。 1、MPS發(fā)布集成氮化鎵的高效電源方案 6月初，MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布兩款新品——NovoOne開關(guān)...  [詳內(nèi)文]

助力功率半導(dǎo)體，羅姆發(fā)布新SPICE模型
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率
6月10日，羅姆宣布推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。 圖片來源：羅姆——用戶可從第4代SiC MOSFET相應(yīng)產(chǎn)品頁面的“設(shè)計模型”中下載 羅姆介紹，功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模...  [詳內(nèi)文]