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納微半導(dǎo)體“朋友圈”+1，碳化硅助力重型農(nóng)業(yè)運輸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，納微半導(dǎo)體正式宣布與BrightLoop達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將圍繞新一代氫燃料電池充電系統(tǒng)，運用先進的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，致力于推動高效、高可靠性的能源管理方案在農(nóng)業(yè)與重型運輸領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化落地。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 此次合作中，納微將為BrightLoop最新系列的氫燃料...  [詳內(nèi)文]

AI時代芯片生存法則，TSS2025集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇演講劃重點！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 16:05 | 分類 研討會
2025年6月10日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢及其旗下全球半導(dǎo)體觀察聯(lián)合主辦的“TSS2025集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”在深圳圓滿落幕。 本屆論壇以封閉式線下交流形式匯聚行業(yè)精英，吸引300多位半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖企業(yè)高層參與，涵蓋芯片設(shè)計、材料、制造、封...  [詳內(nèi)文]

又一批第三代半導(dǎo)體項目刷新進度：封頂、試運行、沖刺生產(chǎn)！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:20 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 砷化鎵
在全球科技競爭日益激烈的當(dāng)下，第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能，成為推動電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個項目取得重要進展，為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。 01奧通碳素半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目：設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行 6月9日，據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息，奧通碳素（內(nèi)...  [詳內(nèi)文]

格力電器：已建立SiC SBD和MOS芯片工藝平臺，董明珠卸任零邊界董事長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:16 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，格力電器在芯片領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局迎來關(guān)鍵性人事調(diào)整與技術(shù)突破。格力電器披露，已成功建立起#碳化硅（SiC）SBD和MOS芯片的完整工藝平臺，部分產(chǎn)品不僅實現(xiàn)內(nèi)部批量使用，更已為多家芯片設(shè)計公司提供晶圓流片制造服務(wù)，這標(biāo)志著格力在第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略已正式進入量產(chǎn)階段。 與此同時，格...  [詳內(nèi)文]

華為任正非：中國在中低端芯片有機會，特別是化合物半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 12 日 15:09 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
“人民日報”官微消息，近期，在深圳華為總部，圍繞大眾關(guān)心的一些熱點話題，人民日報記者一行與華為首席執(zhí)行官任正非面對面交流。 談及中國芯片發(fā)展，任正非表示，中國在中低端芯片上是可以有機會的，中國數(shù)十、上百家芯片公司都很努力。特別是化合物半導(dǎo)體 機會更大 硅基芯片，我們用數(shù)學(xué)補物理、...  [詳內(nèi)文]

華東理科大學(xué)氮化鎵晶圓檢測研究新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:11 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學(xué)上海市智能感知與檢測技術(shù)重點實驗室智能傳感團隊在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進展。 圖片來源：華東理科大學(xué) 團隊利用開發(fā)的二維有機薄膜憶阻器實現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

東芝公布碳化硅新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設(shè)計技術(shù)”和“基于AI設(shè)計優(yōu)化技術(shù)”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導(dǎo)體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內(nèi)文]

繼武漢碳化硅基地投產(chǎn)后，長飛先進再獲進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 17:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長飛先進官微消息，近日，北京經(jīng)緯恒潤科技股份有限公司（簡稱 “經(jīng)緯恒潤”）與安徽長飛先進半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱 “長飛先進”）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的資源優(yōu)勢，共同推進國產(chǎn)碳化硅模塊的車規(guī)認(rèn)證進程及批量生產(chǎn)、交付，助...  [詳內(nèi)文]

日月光授予漢高2024最佳供應(yīng)商：材料創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 11 日 11:48 | 分類 企業(yè)
近日，材料科學(xué)巨頭漢高（Henkel）獲全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝和測試服務(wù)提供商日月光投資控股股份有限公司（ASE）頒發(fā)的2024年度最佳供應(yīng)商獎。此次獲獎，是漢高與日月光長期戰(zhàn)略合作的重要里程碑，標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新和綠色可持續(xù)發(fā)展方向的深度協(xié)同將邁入新的階段。 以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動行...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:56 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學(xué)在一場行業(yè)會議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關(guān)注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)地位。 10kV等級SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用場景。但...  [詳內(nèi)文]