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韓國(guó)首座8英寸SiC全流程本土化工廠(chǎng)竣工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 23 日 13:35 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
韓國(guó)本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab在其碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了里程碑式的進(jìn)展。2025年9月17日，公司在釜山機(jī)張郡舉行了總部及8英寸SiC生產(chǎn)設(shè)施的落成儀式，標(biāo)志著韓國(guó)首座能夠?qū)崿F(xiàn)8英寸SiC功率半導(dǎo)體全流程本土化生產(chǎn)的工廠(chǎng)正式竣工。 圖片來(lái)源：EYEQ Lab...  [詳內(nèi)文]

10億資本注入，這家碳化硅大廠(chǎng)進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 23 日 13:34 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
9月19日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瞻芯電子”）宣布完成全部C輪融資，融資總金額超過(guò)10億元人民幣。此次融資由國(guó)開(kāi)制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)基金領(lǐng)投，中金資本、北京市綠色能源和低碳產(chǎn)業(yè)基金、國(guó)際國(guó)方、國(guó)投IC基金、金石投資、海望資本、芯鑫等多家知名投資機(jī)構(gòu)跟投。 圖片來(lái)源：...  [詳內(nèi)文]

定檔11.27，MTS2026存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)研討會(huì)報(bào)名開(kāi)啟
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 22 日 18:32 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 展會(huì)
01、會(huì)議背景 隨著AI浪潮席卷全球，存儲(chǔ)領(lǐng)域正處在風(fēng)云變幻、波瀾壯闊的變革時(shí)代。這包括了技術(shù)的快速迭代、市場(chǎng)的激烈競(jìng)爭(zhēng)、數(shù)據(jù)量的爆炸式增長(zhǎng)，以及地緣政治對(duì)供應(yīng)鏈的影響。在市場(chǎng)需求與技術(shù)演進(jìn)的雙重推動(dòng)下，人工智能有望成為引領(lǐng)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)躍遷的核心引擎。 2025年全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在動(dòng)...  [詳內(nèi)文]

10億元投資，碳化硅涂層材料基地建設(shè)啟動(dòng)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 22 日 17:12 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
據(jù)“今日海滄”報(bào)道，近日，2025海滄區(qū)招商大會(huì)成功舉辦，現(xiàn)場(chǎng)共有45個(gè)高品質(zhì)項(xiàng)目成功簽約，總投資達(dá)285億元，其中就包括深圳泰坦未來(lái)技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“泰坦未來(lái)”）的高性能材料項(xiàng)目。 圖片來(lái)源：今日海滄 據(jù)悉，泰坦未來(lái)計(jì)劃投資10億元建設(shè)高性能碳基、陶瓷基半導(dǎo)體復(fù)合材料產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

盛美上海、先為科技、北方華創(chuàng)齊發(fā)力，國(guó)產(chǎn)化合物半導(dǎo)體設(shè)備三連突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 22 日 17:11 | 分類(lèi) 化合物半導(dǎo)體
隨著電動(dòng)汽車(chē)、5G/6G通信、射頻和人工智能應(yīng)用等領(lǐng)域的需求日益強(qiáng)勁，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)。近期，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域喜訊頻傳，包括盛美上海推出新設(shè)備、先為科技設(shè)備發(fā)貨等，展現(xiàn)出國(guó)產(chǎn)設(shè)備正加速突圍的勢(shì)頭。 盛美上海 9月18日，盛美上海官微宣布，推出首款專(zhuān)為寬禁帶化合物半...  [詳內(nèi)文]

煙山科技率先打通8英寸硅基氮化鎵MicroLED混合集成工藝
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
近日，莫干山基金已投項(xiàng)目煙山科技在MicroLED核心制造工藝上取得了重大突破。該公司率先在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）平臺(tái)上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工藝的全流程打通，并成功點(diǎn)亮了大尺寸MicroLED面板。 與傳統(tǒng)鍵合集成工藝相比，Hybrid ...  [詳內(nèi)文]

華為碳化硅散熱技術(shù)專(zhuān)利曝光
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:10 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
華為近日公布了兩項(xiàng)涉及碳化硅散熱技術(shù)的專(zhuān)利，分別為《導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用》和《一種導(dǎo)熱吸波組合物及其應(yīng)用》。 前者專(zhuān)利提供了一種導(dǎo)熱組合物及其制備方法和應(yīng)用。 圖片來(lái)源：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局專(zhuān)利信息截圖 該導(dǎo)熱組合物包括基體材料和導(dǎo)熱填料；導(dǎo)熱填料包括大粒徑填料和小粒徑填料，...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技擴(kuò)建，年產(chǎn)11000件半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:03 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
市場(chǎng)最新消息顯示，珂瑪科技半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅陶瓷部件的擴(kuò)建項(xiàng)目獲最新進(jìn)展。9月15日，滁州市人民政府發(fā)布了關(guān)于《安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司半導(dǎo)體設(shè)備用碳化硅材料及部件項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表》受理公示。 圖片來(lái)源：滁州市人民政府官網(wǎng)公示截圖 安徽珂瑪材料技術(shù)有限公司計(jì)劃在滁州市中新蘇滁...  [詳內(nèi)文]

羅姆：搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開(kāi)始量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:29 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
9月17日，據(jù)羅姆半導(dǎo)體官微宣布，搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開(kāi)始量產(chǎn)。 據(jù)了解，作為電驅(qū)動(dòng)總成系統(tǒng)的核心部件，此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚，對(duì)電動(dòng)汽車(chē)的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動(dòng)汽車(chē)牽引逆變器領(lǐng)域通常支持的800V電壓，可支持...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分類(lèi) 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中鎵半導(dǎo)體”）宣布取得重大技術(shù)突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）單晶襯底的制備技術(shù)。 圖片來(lái)源：中鎵半導(dǎo)體 這一成果依托于#中鎵半導(dǎo)體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE），不僅填補(bǔ)了國(guó)際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內(nèi)文]