最新文章

九峰山實驗室攻克8英寸ALD鉬工藝
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 22 日 17:49 | 分類 化合物半導體
近日，九峰山實驗室化合物半導體中試工藝平臺攜手國內本土原子層沉積（ALD）設備企業(yè)開展聯合技術攻關，順利完成ALD金屬鉬工藝重大技術突破，此次技術成果落地也填補了國內相關工藝在8英寸量產平臺應用領域的空白。 此次研發(fā)攻關過程中，研發(fā)團隊選用穩(wěn)定性強、使用效率更高的二氯二氧化鉬作為...  [詳內文]

浙江晶瑞SuperSiC 年產60萬片8英寸碳化硅加速投產
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 22 日 17:46 | 分類 碳化硅SiC
5月21日，“晶盛機電”官微發(fā)布消息，其子公司浙江晶瑞電子材料有限公司（簡稱“浙江晶瑞SuperSiC”）正搶抓戰(zhàn)略發(fā)展機遇，全面加速年產60萬片8英寸SiC襯底項目的投產，并同步啟動新一期基礎設施建設，以迎接未來AI、AR等新興產業(yè)爆發(fā)式增長帶來的需求。 圖片來源：晶盛機電 ...  [詳內文]

TMC2026 國際汽車動力系統(tǒng)技術年會「初步日程」首發(fā)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 22 日 17:39 | 分類 展會
本屆大會將匯聚全球整車、動力系統(tǒng)、產業(yè)鏈核心企業(yè)及科研院所技術專家，圍繞動力系統(tǒng)關鍵技術與熱點方向，通過全體大會、專題論壇、技術展示、新品發(fā)布與創(chuàng)新評選，共同探討技術路線、前沿技術與工程創(chuàng)新。TMC2026期待與您共同推動動力系統(tǒng)技術深層次創(chuàng)新與落地，助力新能源汽車高質量發(fā)展。...  [詳內文]

東芝開始出貨1200V溝槽柵SiC MOSFET測試樣品
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 15:12 | 分類 碳化硅SiC
5月21日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，開始提供1200V溝槽柵SiC MOSFET——“TW007D120E”的測試樣品出貨，該產品主要面向下一代AI數據中心電源系統(tǒng)，同時也適用于可再生能源相關設備。 隨著生成式AI的快速發(fā)展，功耗不斷上升已成為數據中心面臨...  [詳內文]

國內碳化硅龍頭談產業(yè)供需格局與未來前景
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 15:08 | 分類 企業(yè)
在5月19日舉行的2025年度暨2026年第一季度業(yè)績說明會上，天岳先進董事長兼總經理宗艷民披露，得益于行業(yè)供需關系持續(xù)優(yōu)化，公司2026年一季度毛利率環(huán)比大幅改善25個百分點，核心產品8英寸碳化硅襯底的全球市場占有率已達到51.3%。 宗艷民指出，碳化硅材料的應用邏輯正從單一的...  [詳內文]

國際首次！超厚碳化硅外延材料成功研制
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 15:05 | 分類 碳化硅SiC
近日，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導體研究院皮孝東教授與王蓉研究員團隊官宣重大突破，成功制備出厚度超300微米的碳化硅（SiC）超厚外延薄膜，首次在國際上實現該厚度級別薄膜的穩(wěn)定制備，為3萬伏級超高壓功率器件研發(fā)筑牢材料根基。 作為第三代半導體核心材料，碳化硅具...  [詳內文]

【相聚蘇州】2026功率半導體大會暨玻璃基板TGV與先進封裝論壇！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 21 日 14:51 | 分類 展會
會議背景 當前，全球能源結構加速轉型，新能源發(fā)電、新型儲能、新能源汽車、特高壓輸電等領域迎來爆發(fā)式增長，功率半導體作為電能轉換、控制與傳輸的核心器件，是新能源產業(yè)升級的關鍵支撐。以SiC、GaN 為代表的寬禁帶半導體技術突破，正重塑新能源裝備的效率、功率密度與可靠性格局。 先...  [詳內文]

洞察AI變革，匯聚產業(yè)精英：TSS2026半導體產業(yè)高層論壇六大核心亮點一覽
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 20 日 17:24 | 分類 展會
2026年6月23日，TrendForce集邦咨詢將在深圳舉辦“TSS2026集邦咨詢半導體產業(yè)高層論壇”。 屆時，集邦咨詢多位重量級資深分析師將聚焦晶圓代工、存儲器、AI服務器、CPO、具身智能等熱門議題，全方位剖析半導體產業(yè)現狀與未來。本次會議為主要面向集邦咨詢付費會員和產...  [詳內文]

第四代半導體領域，簽署合作協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 20 日 17:17 | 分類 半導體產業(yè)
近日，第四代半導體氧化鎵領域核心龍頭企業(yè)杭州鎵仁半導體有限公司（簡稱“杭州鎵仁”）與山東兩極溫域新材料有限公司（簡稱“兩極溫域”）正式簽署深度戰(zhàn)略合作協(xié)議，簽約儀式圓滿舉行。 作為全球氧化鎵產業(yè)領軍者，杭州鎵仁2025年成功研制全球首顆8英寸氧化鎵單晶，貫通單晶生長、精密加工及外...  [詳內文]

Wolfspeed大中華區(qū)總裁于代輝：碳化硅未來，由三股浪潮與300mm技術共同定義
作者 |發(fā)布日期 2026 年 05 月 20 日 17:13 | 分類 企業(yè)
當前，第三代半導體產業(yè)正處于周期交替的關鍵節(jié)點。一方面，前期超前投資疊加需求釋放的延遲，使產業(yè)鏈部分環(huán)節(jié)面臨產能過剩與價格內卷的陣痛；但另一方面，在新能源汽車、光伏儲能尤其是爆發(fā)式增長的AI算力驅動下，全球對更高效能碳化硅的需求依然勢不可擋。 站在產業(yè)變革的十字路口，擁有近40年...  [詳內文]