近日媒體報(bào)道，在湖南艾科威半導(dǎo)體裝備有限公司（以下簡(jiǎn)稱“艾科威”）里，一臺(tái)制作半導(dǎo)體材料的碳化硅（SiC）高溫激活爐正在裝車，準(zhǔn)備發(fā)往外地某芯片公司。

艾科威研發(fā)總監(jiān)尹昊介紹，碳化硅高溫激活爐，通過(guò)在高溫環(huán)境下對(duì)碳化硅材料進(jìn)行表面改性處理，實(shí)現(xiàn)晶圓表面石墨層的制備，主要應(yīng)用于碳化硅高溫離子注入后的高溫激活退火，刻蝕后的溝槽平滑等工藝，具備在氮?dú)狻錃獾葰怏w氛圍下的高溫退火工藝，溫度可達(dá)1900℃。

艾科威專注于半導(dǎo)體設(shè)備及系統(tǒng)解決方案，提供制作包括碳化硅和晶圓體等半導(dǎo)體材料在內(nèi)的重要設(shè)備。

艾科威拳頭產(chǎn)品之一的管式熱工設(shè)備立式爐，主要適用于8英寸及以下尺寸晶圓的氧化和退火工藝。

據(jù)介紹，氧化是將硅片放在氧氣或水蒸汽的氛圍中進(jìn)行熱處理，在硅片表面形成氧化膜的過(guò)程，可作為隔離層、表面鈍化層、器件結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層等。退火主要是通入惰性氣體進(jìn)行熱處理的過(guò)程，其主要作用是消除晶格損傷和缺陷，最高溫度可達(dá)1200℃。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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