近日，Wolfspeed宣布推出業(yè)內(nèi)首個商業(yè)化10kV SiC功率MOSFET。此產(chǎn)品為高壓電力電子系統(tǒng)設計帶來更多架構自由，能大幅提升系統(tǒng)可靠性與耐久性，為電網(wǎng)升級、工業(yè)電氣化、AI數(shù)據(jù)中心供電等高要求場景提供關鍵技術支持。

10kV SiC MOSFET樹立了耐久與性能新標桿。通過時間相關介質擊穿壽命分析，其在連續(xù)20V 柵極偏置電壓下可運行15.8萬年。作為首個解決10kV SiC MOSFET雙極退化問題的器件，它保障了包括體二極管導通在內(nèi)的可靠性，對中壓UPS、風電和固態(tài)變壓器應用意義重大。

同時，10千伏下SiC技術帶來前所未有的設計靈活性，顯著改善系統(tǒng)體積、重量、可靠性與擁有成本：系統(tǒng)成本降低約30%，可簡化架構，整合多單元設計，縮減逆變器拓撲結構；功率密度提升超300%，開關頻率從600Hz提至10,000Hz，簡化電路、縮小磁性元件；系統(tǒng)級熱需求降低最高50%，轉換效率達99%，熱管理更簡單高效。

此外，該技術為脈沖功率應用開辟新領域。新技術上升時間不到10納秒，可用基于SiC MOSFET的固態(tài)開關取代傳統(tǒng)機械火花隙開關，消除電弧，實現(xiàn)高效能量傳輸，提高定時精度，降低高性能脈沖功率應用尺寸與系統(tǒng)復雜性，涉及地熱能、AI數(shù)據(jù)中心發(fā)電等多個領域。

Wolfspeed首席商務官Cengiz Balkas博士表示，這是近30年垂直集成晶體生長等卓越技術的成果。10kV MOSFET商業(yè)化讓此前在該電壓下原型驗證的客戶能快速量產(chǎn)，縮短上市周期，開啟并實現(xiàn)高壓碳化硅新時代。

（集邦化合物半導體整理）

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