斯達、晶盛機電半年報公布:第三代半導體業(yè)務強勁增長

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 08 月 29 日 14:13 | 分類 企業(yè)

近期,斯達半導體、晶盛機電兩家公司相繼發(fā)布2025年半年報。報告期內(nèi),兩家公司均實現(xiàn)營收增長,并在第三代半導體業(yè)務方面表現(xiàn)強勁。

1、晶盛機電:12 英寸碳化硅技術(shù)突破

2025年上半年,晶盛機電實現(xiàn)營業(yè)收入57.99 億元,歸屬于上市公司股東的凈利潤6.39億元。

圖片來源:晶盛機電公告截圖

化合物半導體領域,在設備方面,晶盛機電報告期內(nèi)晶盛機電重點加強8英寸碳化硅外延設備、6-8英寸碳化硅減薄設備的市場推廣,加速商業(yè)化落地;同時,該公司碳化硅氧化爐、激活爐、離子注入設備等關(guān)鍵裝備正推進客戶驗證,進展順利,為后續(xù)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)?;慨a(chǎn)提供設備支撐。

襯底材料領域,晶盛機電成功長出12英寸導電型碳化硅晶體,打破大尺寸碳化硅襯底的技術(shù)壁壘;同時,8英寸碳化硅襯底的全球客戶驗證范圍大幅擴大,產(chǎn)品性能獲客戶認可,已成功獲取部分國際客戶的批量訂單。

此外,為匹配全球碳化硅市場需求,公司在馬來西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項目,同時在銀川投建8英寸碳化硅襯底片配套晶體項目,進一步強化技術(shù)與規(guī)模雙重優(yōu)勢,提升全球供應鏈響應能力。

2、斯達:碳化硅、氮化鎵業(yè)務發(fā)展迅速

2025年上半年,斯達半導體實現(xiàn)營業(yè)收入約19.36億元,同比上升26.25%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤約2.75億元,較去年同期上升0.26%。

圖片來源:斯達半導體公告截圖

報告期內(nèi),斯達半導體碳化硅、氮化鎵業(yè)務實現(xiàn)較快發(fā)展。

斯達半導體SiC產(chǎn)品已經(jīng)在汽車、儲能、數(shù)據(jù)中心、低空飛行等多個行業(yè)得到應用,其中該公司自主研發(fā)的車規(guī)級第二代SiC MOSFET芯片開始批量出貨,平臺電壓覆蓋750V、1200V、1400V、1500V等多個電壓等級,將對應配套400V、800V、1000V等電壓平臺主電驅(qū)項目。

氮化鎵領域,今年上半年,斯達半導體車規(guī)級GaN驅(qū)動模塊獲得了主電機控制器平臺定點,預計2026年進入裝車應用階段。今年6月,斯達半導體發(fā)布公告表示,計劃發(fā)行總額不超過15億元的可轉(zhuǎn)換公司債券,將募資資金用于建設車規(guī)級GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項目、車規(guī)級SiC MOSFET模塊制造項目等。其中,車規(guī)級GaN模塊產(chǎn)業(yè)化項目投資總額約3億元,擬投入募集資金2億元。

 

(集邦化合物半導體 Flora 整理)

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