近日，九峰山實驗室化合物半導體中試工藝平臺攜手國內(nèi)本土原子層沉積（ALD）設備企業(yè)開展聯(lián)合技術攻關，順利完成ALD金屬鉬工藝重大技術突破，此次技術成果落地也填補了國內(nèi)相關工藝在8英寸量產(chǎn)平臺應用領域的空白。

此次研發(fā)攻關過程中，研發(fā)團隊選用穩(wěn)定性強、使用效率更高的二氯二氧化鉬作為工藝前驅(qū)體，在四百攝氏度工藝溫度條件下，成功制備出性能指標優(yōu)異的金屬鉬薄膜，整套工藝方案運行穩(wěn)定，薄膜成膜質(zhì)量、均勻性以及各項關鍵參數(shù)均達到行業(yè)先進水準，這也是國內(nèi)行業(yè)內(nèi)首次依托8英寸半導體工藝平臺順利完成該套ALD鉬工藝的完整開發(fā)與驗證工作。

原子層沉積設備是半導體先進制造、化合物半導體器件生產(chǎn)環(huán)節(jié)不可或缺的核心裝備，金屬鉬薄膜憑借優(yōu)良的導電性能與貼合度，廣泛應用于第三代、第四代半導體功率器件、射頻芯片以及先進封裝互聯(lián)層等核心場景，是提升器件耐壓能力、降低導通損耗、優(yōu)化整體電學性能的關鍵功能性薄膜材料。長久以來，高端ALD配套金屬薄膜工藝長期被海外技術壟斷，本土設備廠商在高端工藝適配與量產(chǎn)化應用層面始終存在諸多壁壘。

九峰山實驗室依托完善的化合物半導體中試研發(fā)載體，持續(xù)聯(lián)動本土設備企業(yè)推進工藝自研與技術適配，本次8英寸ALD鉬工藝順利突破，不僅充分驗證了國產(chǎn)ALD設備在高端精密薄膜沉積領域的技術實力與適配能力，也標志著國內(nèi)化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈在設備端與工藝端協(xié)同發(fā)展邁出重要一步。

（集邦化合物半導體整理）

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