新微半導(dǎo)體:氮化鎵功率全工藝平臺年產(chǎn)能突破60,000片

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分類 氮化鎵GaN

近期,由臨港新片區(qū)管理委員會指導(dǎo),新微半導(dǎo)體主辦的“氮化鎵驅(qū)動AI芯時(shí)代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會”成功舉行。

會上,新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺發(fā)布,同時(shí)該公司氮化鎵功率全工藝平臺實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。

圖片來源:新微半導(dǎo)體

新微半導(dǎo)體指出,這一平臺的建成,為國內(nèi)氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)大而可靠的制造基石,將有力推動高效率、高密度電源解決方案在AI計(jì)算、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。

新微集團(tuán)總裁秦曦表示,新微將氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的縱深布局提升至核心戰(zhàn)略高度,規(guī)劃不僅涵蓋芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié),更系統(tǒng)性延伸至上游材料與裝備、中游制造與封測以及下游系統(tǒng)應(yīng)用,致力于構(gòu)建一個(gè)開放協(xié)同、富有韌性的氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

資料顯示,新微半導(dǎo)體專注化合物半導(dǎo)體晶圓代工,已在功率半導(dǎo)體方向構(gòu)建起全面的硅基氮化鎵功率工藝平臺,覆蓋從低壓(30V-100V)、中壓(100V-200V)到高壓(650V-700V)的全電壓范圍,廣泛適用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人及新能源汽車等終端場景,助力能效提升。

 

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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