文章分類： 碳化硅SiC

這個碳化硅芯片封裝項目正式落地成都

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:12 |
| 分類: 碳化硅SiC
中科光智近期完成B輪融資首家簽約并獲數(shù)千萬元投資，碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心正式落地成都金牛，將填補(bǔ)區(qū)域半導(dǎo)體制造后道環(huán)節(jié)空白。 圖片來源：中科光智 項目落地金牛區(qū)，補(bǔ)強(qiáng)半導(dǎo)體封測產(chǎn)業(yè)鏈 近期，成都市金牛區(qū)人民政府與中科光智簽署投資合作協(xié)議，標(biāo)志著碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、三安光電碳化硅新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 02 日 17:23 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅領(lǐng)域新進(jìn)展不斷。三安光電全資子公司湖南三安舉行碳化硅芯片上車儀式，與理想汽車合作邁入新階段，未來還將加大研發(fā)投入鞏固優(yōu)勢；晶盛機(jī)電在接受鵬華基金調(diào)研時，回應(yīng)了碳化硅產(chǎn)能、不同尺寸進(jìn)展等問題，其業(yè)務(wù)成果顯著，并對碳化硅未來前景充滿信心。 01、三安光電碳化硅芯片成功上車...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed推出工業(yè)級1200V系列分立式碳化硅MOSFET

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:51 |
| 分類: 碳化硅SiC
11月25日消息，Wolfspeed宣布推出最新的工業(yè)級 1200V C4MS系列分立式碳化硅 MOSFET，共有16個產(chǎn)品型號，基于第四代 (Gen 4) 技術(shù)平臺開發(fā)，可為硬開關(guān)應(yīng)用提供了優(yōu)異的性能。 圖片來源：Wolfspeed Wolfspeed介紹，C4MS系列采用軟...  [詳內(nèi)文]

兩家國內(nèi)SiC企業(yè)IPO“進(jìn)度條”刷新

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 16:00 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本化加速推進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點，碳化硅（SiC）賽道近期迎來兩大核心企業(yè)上市進(jìn)程的密集突破。11月26日，專注于碳化硅功率器件的基本半導(dǎo)體獲證監(jiān)會境外發(fā)行上市及境內(nèi)未上市股份“全流通”備案；11月27日，國內(nèi)碳化硅外延片龍頭天域半導(dǎo)體正式啟動港股招股。兩家企業(yè)分別...  [詳內(nèi)文]

內(nèi)蒙古16萬噸碳化硅項目公示，湖南加工裝備同步通過驗收

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 10:19 |
| 分類: 碳化硅SiC
內(nèi)蒙古自治區(qū)投資項目在線審批辦事大廳近日公示，巴彥淖爾利源合金材料有限公司擬投資6億元建設(shè)年產(chǎn)16萬噸高品質(zhì)碳化硅制品項目。幾乎同期，湖南省科技廳宣布，宇環(huán)數(shù)控承擔(dān)的“碳化硅基片高效精密加工及其成套技術(shù)設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)”項目通過驗收。 投資超6億元，年產(chǎn)16萬噸高品質(zhì)碳化硅制品公示 ...  [詳內(nèi)文]

安意法8英寸SiC項目一期一階段試產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 24 日 17:39 |
| 分類: 碳化硅SiC
近期，據(jù)重慶眾致環(huán)保有限公司披露的環(huán)保驗收文件顯示，安意法半導(dǎo)體位于重慶的8英寸碳化硅（SiC）外延與芯片項目一期一階段已通過竣工環(huán)境保護(hù)驗收，并于2025年5月進(jìn)入試生產(chǎn)階段。 圖片來源：環(huán)保驗收文件截圖 目前，該條生產(chǎn)線已具備年產(chǎn)2萬片車規(guī)級MOSFET芯片的能力，產(chǎn)品將主...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed 發(fā)布兩款全新1200V碳化硅模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 19 日 14:33 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布，其面向電動汽車（EV）牽引逆變系統(tǒng)推出兩大全新1200V碳化硅功率模塊系列。這兩大系列均搭載Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技術(shù)和創(chuàng)新封裝工藝，旨在提供前所未有的系統(tǒng)耐久性、效率與設(shè)計靈活性，為電動汽車的性能和可靠性樹立...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進(jìn) GaN/SiC 技術(shù)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 18 日 14:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要技術(shù)進(jìn)展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 17 日 14:34 |
| 分類: 碳化硅SiC
11月16日，芯聯(lián)集成宣布正式發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺，采用了8英寸更先進(jìn)制造技術(shù)，已達(dá)到全球領(lǐng)先水平。 據(jù)介紹，該技術(shù)平臺通過器件結(jié)構(gòu)與工藝制程的雙重優(yōu)化，實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標(biāo)，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大核心應(yīng)用場景，可廣泛應(yīng)用新能源汽車主驅(qū)、車載電源及...  [詳內(nèi)文]

SiC基礎(chǔ)原料偷偷漲，6英寸襯底價格血戰(zhàn)，誰是最后的贏家？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 13 日 14:10 |
| 分類: 碳化硅SiC
截至2025年11月，碳化硅市場正經(jīng)歷關(guān)鍵的價值重估與結(jié)構(gòu)性分化。在價格端，低端大宗原料成本推升價格上漲，而主流6英寸襯底則因產(chǎn)能過剩而持續(xù)暴跌。但在應(yīng)用端，SiC憑借其卓越散熱性能，極有可能成為NVIDIA Rubin平臺和臺積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略性關(guān)鍵材料，預(yù)示Si...  [詳內(nèi)文]