事關(guān)碳化硅與射頻芯片,三個(gè)項(xiàng)目迎新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 02 月 06 日 16:45 | 分類 碳化硅SiC

近期,國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域動態(tài)頻頻,三個(gè)項(xiàng)目再傳新進(jìn)展,涉及碳化硅、IGBT與射頻芯片等領(lǐng)域。

01、未名電子高端功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)園圓滿竣工

1月31日,索力德普宣布其旗下子公司安徽未名電子科技有限公司在宿州市投資建設(shè)的高端功率半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)園圓滿竣工,成為其完善垂直整合、布局芯片業(yè)務(wù)的重要里程碑。

據(jù)悉,未名電子泗縣工廠所占地為8600平方米,專注于新能源汽車,光伏逆變器,風(fēng)電變流器,儲能變流器,高端工控等領(lǐng)域的高端功率半導(dǎo)體芯片制造,是年產(chǎn)500萬只的塑封高功率模組工廠。

索力德普是一家專注于高端先進(jìn)功率半導(dǎo)體芯片和器件研發(fā)制造、封裝測試和應(yīng)用銷售的高新技術(shù)科技企業(yè),經(jīng)過多年發(fā)展,已形成從器件設(shè)計(jì)、產(chǎn)品工藝、封裝測試到系統(tǒng)應(yīng)用的全鏈條技術(shù)覆蓋,旗下業(yè)務(wù)涵蓋:Super Junction、IGBT、FRD、SGTMOS、SiC功率器件等芯片產(chǎn)品及技術(shù)開發(fā)、IGBT模塊設(shè)計(jì)、封測和應(yīng)用方案等。

02、林眾電子IGBT/SiC封測產(chǎn)線即將投產(chǎn)

1月31日,林眾電子表示,為了滿足海內(nèi)外客戶訂單的繼續(xù)增長,公司進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)能,全新功率模組封裝測試產(chǎn)線已完成入場準(zhǔn)備,即將投產(chǎn)。

該新產(chǎn)線采用行業(yè)先進(jìn)的自動化設(shè)備與智能檢測及監(jiān)控系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)從原料輸入到成品輸出的全流程管控。

2024年11月,林眾電子位于上海松江的研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。該項(xiàng)目總投資近5億元,建筑面積約6萬平方米,全面投產(chǎn)后功率模組年產(chǎn)能可達(dá)3000萬顆,涵蓋IGBT與SiC模組,主要應(yīng)用于工業(yè)自動化、電動汽車、新能源及儲能等領(lǐng)域。

資料顯示,林眾電子專注于功率半導(dǎo)體解決方案,旗下產(chǎn)品覆蓋工業(yè)、能源以及汽車領(lǐng)域。在車規(guī)領(lǐng)域,碳化硅產(chǎn)品包括單面水冷塑封功率模塊、全橋灌封功率模塊(A2)以及TPAK功率模組,同時(shí)支持客戶定制,滿足其多樣化的產(chǎn)品需求。IGBT產(chǎn)品包括AX系列 750V/1200V全橋殼封功率模組和塑封模組產(chǎn)品。

03、北京大有半導(dǎo)體總部及射頻芯片項(xiàng)目簽約

1月29日,北京大有半導(dǎo)體總部及射頻芯片項(xiàng)目簽約儀式在惠山高新區(qū)舉行。

該項(xiàng)目總投資約1億元。在此次簽約圓滿落地后,該企業(yè)將聚焦于衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)相控陣芯片、衛(wèi)星直連芯片等高端芯片領(lǐng)域展開重點(diǎn)布局。

北京大有半導(dǎo)體有限公司成立于2021年,是一家專注射頻芯片設(shè)計(jì)的企業(yè)。企業(yè)聚焦射頻收發(fā)機(jī)、數(shù)字射頻SoC及軟件無線電技術(shù),深耕衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)(相控陣通信、手機(jī)直連、物聯(lián)網(wǎng))、工業(yè)物聯(lián)與毫米波雷達(dá)領(lǐng)域。已與中芯國際建立合作,實(shí)現(xiàn)多款芯片量產(chǎn),累計(jì)出貨射頻芯片超億顆,衛(wèi)星核心產(chǎn)品獲星座客戶認(rèn)證。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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