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芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日，聯(lián)合電子2025年供應(yīng)商大會隆重舉行，芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應(yīng)鏈合作伙伴出席此次大會。會上，芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動力，憑借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技術(shù)產(chǎn)品供應(yīng)，榮獲“2024年度供應(yīng)商卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”。 作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國聯(lián)盟，第三代半導(dǎo)體劃重點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:32 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議，組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強(qiáng)化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點(diǎn)...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:28 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，氮化鎵憑借出色的電子遷移率和更高的開關(guān)速度，在高頻應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出優(yōu)勢，吸引業(yè)界關(guān)注。近期，市場傳來納微半導(dǎo)體、CGD兩家公司氮化鎵新動態(tài)，涉及電動汽車、車載充電以及光伏逆變器等領(lǐng)域。 01 納微半導(dǎo)體全球首發(fā)雙向氮化鎵開關(guān) 3月12日，納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進(jìn)展：涉及碳化硅、氮化鎵
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后，香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進(jìn)展。 近期，明報(bào)新聞網(wǎng)報(bào)道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線，分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計(jì)在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月，香港立法會批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

CGD官宣突破性技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:49 | 分類 氮化鎵GaN
近日，CGD宣布推出可支持100kW以上的新能源車主驅(qū)逆變器的GaN解決方案。該方案基于其專利ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)，目標(biāo)瞄準(zhǔn)規(guī)模超百億美元的電動汽車市場。革命性的 Combo ICeGaN? 方案通過將智能化的ICeGaN? HEMT與傳統(tǒng)IGBT 組合并封裝于同...  [詳內(nèi)文]

東芝功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房竣工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 9:46 | 分類 功率
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）近日在其位于日本西部兵庫縣姬路半導(dǎo)體工廠的車載功率半導(dǎo)體后道生產(chǎn)新廠房舉辦了竣工慶祝儀式。新廠房的產(chǎn)能將比2022財(cái)年的水平增加一倍以上，并將于2025財(cái)年上半年開始全面生產(chǎn)。 功率器件是提高各種電氣和電子設(shè)備能源效率的重要元件，在電力供應(yīng)和...  [詳內(nèi)文]

天域半導(dǎo)體等企業(yè)參加，碳化硅（CVD）領(lǐng)域團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)啟動會召開
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:53 | 分類 企業(yè)
近日，由中國國際經(jīng)濟(jì)技術(shù)合作促進(jìn)會標(biāo)準(zhǔn)化工作委員會（以下簡稱“國促會標(biāo)委會”）聯(lián)合通標(biāo)中研標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院共同組織的《碳化硅外延片制備技術(shù)規(guī)范化學(xué)氣相沉積法（CVD）》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)啟動會順利召開。 包括廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、南京百識電子科技有限公司、藍(lán)河科技（紹興）有限公司、深...  [詳內(nèi)文]

三安光電披露：重慶8英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已達(dá)500片/周
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:51 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月12日，三安光電在投資者互動平臺披露，其位于重慶的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線已正式投產(chǎn)，當(dāng)前周產(chǎn)能達(dá)500片。這一進(jìn)展標(biāo)志著國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在規(guī)?；a(chǎn)領(lǐng)域邁出重要一步，為新能源汽車、智能電網(wǎng)等新興市場提供關(guān)鍵材料支撐。 source：三安光電 公開資料顯示，重慶三安8英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體龍頭，開啟一筆重大并購
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:47 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月13日，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告稱，公司正籌劃通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購東莞市貝特電子科技股份有限公司（以下簡稱“貝特電子”）控股權(quán)，并同步募集配套資金。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 受此影響，該公司股票自當(dāng)日開市起停牌，預(yù)計(jì)3月27日前披露重組預(yù)案并申請復(fù)牌。這一動作...  [詳內(nèi)文]

納微助力長城電源打造超高功率密度模塊電源
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 13 日 17:16 | 分類 氮化鎵GaN
納微半導(dǎo)體宣布其搭載GaNSense?技術(shù)的GaNFast??氮化鎵功率芯片進(jìn)入長城電源供應(yīng)鏈，成功助力其打造AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進(jìn)行計(jì)算，400V獨(dú)立機(jī)柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全...  [詳內(nèi)文]