近日，國內超寬禁帶半導體材料企業(yè)北京銘鎵半導體有限公司完成A++輪超億元股權融資。本輪投資方包括彭程創(chuàng)投、成都科創(chuàng)投、天鷹資本、國煜基金及洪泰基金等多家機構，融資額約1.1億元，投后估值達9.1億元。至此公司累計總融資已近4億元。

圖片來源：北京中小企業(yè)服務平臺

本輪融資將主要用于6英寸氧化鎵襯底技術研發(fā)與量產、建設2-4英寸氧化鎵襯底中試產線、超寬禁帶半導體未來產業(yè)培育、以及磷化銦多晶產線規(guī)?；瘮U產。

銘鎵半導體核心布局氧化鎵、磷化銦等關鍵材料。2025年初，企業(yè)運用新工藝成功制備了4英吋（010）氧化鎵晶坯，為全球首次，為制造更大尺寸、更低成本的氧化鎵器件創(chuàng)造了條件。

大尺寸氧化鎵技術邁向產業(yè)化

作為第四代超寬禁帶半導體材料的核心代表，氧化鎵憑借4.9eV超寬禁帶、高臨界擊穿場強等特性，在高壓功率器件、高頻射頻、新能源等領域展現出替代碳化硅、氮化鎵的潛力，成為國內半導體產業(yè)突破的關鍵賽道。

杭州富加鎵業(yè)科技有限公司成立于2019年，核心產品包括氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE外延片及VB法、EFG法晶體生長裝備，已掌握從晶體生長、襯底加工到外延制備的完整技術鏈。

2025年12月，中國科學院上海光機所聯合#富加鎵業(yè)，在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體。去年9月，富加鎵業(yè)獲近億元融資，將主要用于建設國內首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生產線，預計2026年底實現年產萬片產能。

圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司

杭州鎵仁半導體有限公司成立于2022 年，依托浙江大學硅及先進半導體材料全國重點實驗室，首創(chuàng)鑄造法氧化鎵單晶生長技術，全球首發(fā)8英寸氧化鎵單晶襯底，開發(fā)國內首臺帶工藝包的氧化鎵專用 VB 長晶設備并對外銷售，在大尺寸襯底與裝備自主化方面處于國際領先。

2025年10月，#鎵仁半導體 宣布在氧化鎵同質外延技術上取得重大突破，成功實現了高質量6英寸氧化鎵同質外延生長。

地方政策精準加碼氧化鎵發(fā)展

產業(yè)突破的背后，地方政策支持持續(xù)加碼。2026年開年以來，廣州、浙江兩地相繼發(fā)布專項規(guī)劃，將氧化鎵納入重點發(fā)展范疇，形成政策引導與產業(yè)創(chuàng)新的良性互動，為第四代半導體產業(yè)發(fā)展筑牢生態(tài)基礎。

2026年1月8日，廣州市人民政府辦公廳正式印發(fā)《廣州市加快建設先進制造業(yè)強市規(guī)劃（2024—2035年）》（以下簡稱《規(guī)劃》），明確將半導體與集成電路列為五大戰(zhàn)略先導產業(yè)之一，提出大力發(fā)展碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導體材料制造，通過全產業(yè)鏈布局、核心技術攻關與產業(yè)生態(tài)構建，推動廣州成為國家集成電路第三極核心承載區(qū)。

圖片來源：廣州市人民政府辦公廳文件截圖

2026年1月初，浙江省經濟和信息化廳發(fā)布的《浙江省“十五五”新型工業(yè)化規(guī)劃（征求意見稿）》也明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料列為新一代半導體領域重點發(fā)展方向，與3-7nm晶圓制程突破、先進半導體設備研發(fā)等任務協同推進。

業(yè)內指出，國內氧化鎵產業(yè)已實現從實驗室研發(fā)向中試及規(guī)?；苽涞年P鍵跨越，疊加地方政策的精準賦能，有望加速在電力電子等領域的應用驗證，推動我國在第四代半導體賽道確立國際競爭優(yōu)勢。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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