文章分類： 企業(yè)

華東理科大學(xué)氮化鎵晶圓檢測研究新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:11 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，華東理科大學(xué)上海市智能感知與檢測技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室智能傳感團(tuán)隊(duì)在氮化鎵晶圓檢測研究中取得重要進(jìn)展。 圖片來源：華東理科大學(xué) 團(tuán)隊(duì)利用開發(fā)的二維有機(jī)薄膜憶阻器實(shí)現(xiàn)了有圖案晶圓的缺陷檢測和無圖案晶圓的表面粗糙度分類。 相關(guān)研究成果以“Covalent organic framew...  [詳內(nèi)文]

東芝公布碳化硅新技術(shù)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，東芝發(fā)布公告表示，其基于自主研發(fā)的“小型芯片布局設(shè)計(jì)技術(shù)”和“基于AI設(shè)計(jì)優(yōu)化技術(shù)”，開發(fā)出了一種“樹脂絕緣型SiC功率半導(dǎo)體模塊”，能顯著提高使用“樹脂”作為絕緣基板的SiC功率模塊的功率密度（單位面積的功率處理能力）。 東芝介紹，無論何種絕緣類型（包括陶瓷）的功率模塊都...  [詳內(nèi)文]

繼武漢碳化硅基地投產(chǎn)后，長飛先進(jìn)再獲進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 17:03 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長飛先進(jìn)官微消息，近日，北京經(jīng)緯恒潤科技股份有限公司（簡稱 “經(jīng)緯恒潤”）與安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱 “長飛先進(jìn)”）順利完成戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約。未來，雙方將充分發(fā)揮各自在汽車動力及碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的資源優(yōu)勢，共同推進(jìn)國產(chǎn)碳化硅模塊的車規(guī)認(rèn)證進(jìn)程及批量生產(chǎn)、交付，助...  [詳內(nèi)文]

日月光授予漢高2024最佳供應(yīng)商：材料創(chuàng)新賦能可持續(xù)未來

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 11 日 11:48 |
| 分類: 企業(yè)
近日，材料科學(xué)巨頭漢高（Henkel）獲全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝和測試服務(wù)提供商日月光投資控股股份有限公司（ASE）頒發(fā)的2024年度最佳供應(yīng)商獎。此次獲獎，是漢高與日月光長期戰(zhàn)略合作的重要里程碑，標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新和綠色可持續(xù)發(fā)展方向的深度協(xié)同將邁入新的階段。 以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動行...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子與浙江大學(xué)聯(lián)合發(fā)表10kV SiC MOSFET研發(fā)成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:56 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，瞻芯電子與浙江大學(xué)在一場行業(yè)會議上聯(lián)合發(fā)表了10kV等級SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界廣泛關(guān)注。這一成果彰顯了瞻芯電子在SiC功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)地位。 10kV等級SiC MOSFET器件在下一代智能電網(wǎng)、高壓大容量功率變換系統(tǒng)等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用場景。但...  [詳內(nèi)文]

借力IPO，基本半導(dǎo)體中山百萬級SiC封裝線項(xiàng)目獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 09 日 14:17 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日，廣東省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了基本半導(dǎo)體（中山）有限公司（以下簡稱“基本半導(dǎo)體”）年產(chǎn)100萬只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目備案公示，這一重大進(jìn)展，與基本半導(dǎo)體此前5月27日向香港聯(lián)合交易所遞交上市申請的消息相呼應(yīng)。 圖片來源：廣東省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺 此次...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

瞄準(zhǔn)車規(guī)級碳化硅，理想發(fā)表重要成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:53 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽車官方公眾號發(fā)文表示，近期理想汽車在第37屆ISPSD（功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議）上發(fā)表了與車規(guī)級碳化硅相關(guān)的論文。 該篇論文來自理想汽車自研SiC芯片團(tuán)隊(duì)，論文題為《1200V汽車級碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術(shù)研究》，展示了碳化...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 06 日 13:49 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無線半導(dǎo)體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導(dǎo)體機(jī)器人動力系統(tǒng)芯片家族 “機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場景需求。 圖片來源：中科半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 06 月 05 日 15:30 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]