7月18日，中國證監(jiān)會正式批準了芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)集成”）58.97億元收購芯聯(lián)越州集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)越州”）72.33%的股權的交易。至此，芯聯(lián)集成即將完成對于芯聯(lián)越州的100%控股。

圖片來源：芯聯(lián)集成公告截圖

01、近59億“虧收虧”并購獲批，科創(chuàng)板政策加持“硬科技”

芯聯(lián)集成收購芯聯(lián)越州的方案早在2024年6月就已初步披露，計劃以發(fā)行股份（約53.07億元，占90%）及支付現金（約5.90億元，占10%）的方式完成剩余股權的收購。此交易的獲批，不僅是芯聯(lián)集成深化產業(yè)布局的關鍵一步，更是中國證監(jiān)會發(fā)布“科創(chuàng)板八條”后，首單獲得批復的重磅并購案。

“科創(chuàng)板八條”明確鼓勵科創(chuàng)板上市公司開展產業(yè)鏈上下游并購整合，尤其是收購優(yōu)質未盈利的“硬科技”企業(yè)，旨在推動主業(yè)做優(yōu)做強。芯聯(lián)越州財報數據顯示，該公司自2021年成立以來，至2024年10月31日，累計虧損約26.68億元（2022年虧損7億元，2023年虧損11.16億元，2024年截至10月31日虧損8.68億元）。而母公司芯聯(lián)集成過去三年也合計虧損逾40億元。短期內，此次并購無疑會增加合并報表層面的虧損壓力。然而，芯聯(lián)集成此舉并非追求短期財務回報，而是基于更長遠的戰(zhàn)略考量。公司表示，芯聯(lián)越州當前的虧損主要源于高折舊和高研發(fā)投入，同時，2024年6英寸碳化硅晶圓價格從6000元/片暴跌至1500元/片，也對其營收和利潤構成巨大沖擊。但隨著業(yè)務量增長、產品結構優(yōu)化以及設備折舊期的逐步結束，芯聯(lián)越州有望實現盈利改善，成為芯聯(lián)集成未來的重要利潤增長點。

02、強化特色工藝代工優(yōu)勢，8英寸硅基與化合物半導體并進

公開資料顯示，芯聯(lián)越州主要從事功率半導體等領域的晶圓代工業(yè)務，其成立于2021年，主營產品為碳化硅（SiC MOSFET）。早在2021年12月31日，芯聯(lián)集成便與濱海芯興等15名股東共同投資設立芯聯(lián)越州，總投資額達60億元，認購全部30億元注冊資本，認購價格為2元/注冊資本。其中，芯聯(lián)集成投資16.60億元，持股27.67%，彼時已是芯聯(lián)越州的最大股東。

通過本次交易，芯聯(lián)集成將實現對母公司10萬片/月與芯聯(lián)越州7萬片/月的8英寸硅基產能（涵蓋IGBT和MOSFET）的一體化管理，重點支持SiCMOSFET、高壓模擬IC等更高技術產品和業(yè)務的發(fā)展。在SiC領域，芯聯(lián)越州已是國內車規(guī)級SiC器件產業(yè)化的先行者。目前，其擁有每月8000片6英寸SiC MOSFET的生產能力，并已成功實現車規(guī)級SiC功率器件的量產，出貨量位居國內首位。產品良率超過99%，技術參數達國際先進水平，并完成了三代產品技術迭代及溝槽型產品技術儲備。更重要的是，芯聯(lián)越州擁有國內首條8英寸SiC功率器件生產線，其工程批已于2024年4月順利下線，并計劃在2025年內實現規(guī)模量產。

此外，芯聯(lián)越州還前瞻性布局了多元化的高端技術平臺。除了SiC MOSFET產品覆蓋650V至2000V全系列并掌握核心工藝（客戶涵蓋頭部車企及光伏、風電龍頭），其在硅基IGBT和MOSFET領域也實現了全電壓范圍布局，車規(guī)級產品已批量量產。公司更戰(zhàn)略性地擴展至VCSEL（砷化鎵垂直腔面發(fā)射激光器）以及高壓模擬IC等業(yè)務。

03、探析碳化硅晶圓價格走勢，揭露供需博弈下的波動與市場預期

2024年是SiC晶圓價格大幅回調的一年。隨著頭部企業(yè)產能的釋放和中國本土廠商的崛起，碳化硅市場從之前的供應緊張轉向局部過剩，導致價格迅速下探，部分6英寸襯底價格甚至跌破500美元/片，接近中國本土廠商的生產成本線。這給許多SiC晶圓生產商帶來了巨大的盈利壓力，也是芯聯(lián)越州面臨虧損的重要因素。

進入2025年，雖然價格暴跌的勢頭有所緩解，但市場整體價格仍在低位運行。供應鏈庫存的消化和新產能的持續(xù)釋放仍在進行中，使得短期內SiC晶圓價格難以出現大幅反彈。因此，2025年SiC晶圓的市場規(guī)模仍在增長，但價格下降帶來的營收增長可能會被部分抵消。盡管短期價格波動，但SiC作為第三代半導體材料的長期增長潛力并未改變。根據TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球2025 SiC Power Device市場分析》報告指出，憑借晶圓技術升級和產能迅速擴張，SiC功率器件將逐步在高壓應用場景（≥900V）確立領導地位，2030年整體市場規(guī)模有望成長至164億美元。同時，在核心電動汽車市場增長放緩和SiC成本快速下降的背景下，SiC功率器件正在加速向工業(yè)市場滲透。

圖片來源：集邦化合物半導體

而對于上游SiC襯底市場，由于現行主流的6英寸SiC襯底價格快速下降，以及8英寸SiC前段制程的技術難度較高，加上市場環(huán)境劇烈變化，預計6英寸襯底將持續(xù)占據SiC襯底市場的主導地位。但8英寸襯底是進一步降低SiC成本的必然選擇，且有助SiC芯片技術升級，預估出貨份額至2030年有望突破20%。

對價格波動，越來越多的SiC廠商選擇進行垂直整合，從襯底、外延到器件甚至模組的全面布局，以更好地控制成本、保證供應鏈穩(wěn)定性和應對市場風險。芯聯(lián)集成此次收購芯聯(lián)越州，正是這種趨勢的體現。

芯聯(lián)集成總經理趙奇此前表示，并購已成為半導體行業(yè)的主旋律，公司將融合傳統(tǒng)工藝代工和IDM（整合器件制造商）模式的優(yōu)勢，選擇系統(tǒng)代工模式。這種模式強調與終端客戶深度合作，從傳統(tǒng)的“供應商”轉變?yōu)椤肮矂?chuàng)者”，緊貼市場脈搏，為不同應用場景打造定制化解決方案。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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