近期，碳化硅（SiC）技術領域迎來了一系列重要新品發(fā)布，其中安世半導體（Nexperia）以及方正微電子均推出了各自的新產(chǎn)品。

方正微電子：高性能碳化硅 MOS 功率模塊發(fā)布

近日，深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司旗下的深圳方正微電子有限公司（以下簡稱“方正微電子”）正式推出了一款高性能的碳化硅（SiC）MOS功率模塊——FA120P002AA（1200V 2.1mΩ）。

圖片來源：方正微電子

該模塊采用了方正微電子自研自產(chǎn)的車規(guī)級SiC MOS芯片，并通過芯片銀燒結、DTS等先進工藝進行封裝。在內(nèi)部設計上，該模塊采用了合理緊湊的芯片布局，有效降低了電壓尖峰、電壓振蕩、開關損耗以及EMI噪聲等問題，提升了模塊的電氣性能和在復雜工況下的適應性。

在應用表現(xiàn)方面，F(xiàn)A120P002AA模塊已經(jīng)針對新能源汽車主驅應用場景進行了多工況的電機臺架測試。測試結果顯示，該模塊在波形、芯片溫度、堵轉、循環(huán)工況以及老化等方面表現(xiàn)出色，能夠為新能源純電動汽車和混合電動汽車的主驅逆變器提供最優(yōu)的解決方案。

此外，該模塊還滿足國際電子元件AQG-324可靠性標準，其芯片關鍵可靠性項目可輕松通過3000小時認證，進一步證明了其卓越的可靠性和耐用性。

安世半導體：1200V 20A 碳化硅肖特基二極管發(fā)布

安世半導體（Nexperia）宣布推出兩款1200V 20A SiC肖特基二極管，旨在滿足AI服務器、電信設備和太陽能逆變器應用的電源裝置對超低功率損耗整流器的需求。

圖片來源：安世半導體

據(jù)介紹，PSC20120J和PSC20120肖特基二極管通過不受溫度影響的電容開關和零恢復特性實現(xiàn)了領先的性能。此外，其開關性能幾乎完全不受電流和開關速度變化的影響。
這兩款二極管具備合并式 PiN 肖特基（MPS）結構，在抵御浪涌電流上展現(xiàn)出穩(wěn)健性，降低了對額外保護電路的要求。PSC20120J采用真雙引腳D2PAK R2P（TO-263-2）表面貼裝器件（SMD）功率塑料封裝，而PSC20120L則采用真雙引腳TO247 R2P（TO-247-2）通孔功率塑料封裝。這些特性使得安世半導體的SiC肖特基二極管在高性能電源應用中具有顯著優(yōu)勢。

（集邦化合物半導體 竹子 整理）

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