近日,重慶三安半導(dǎo)體碳化硅(SiC)襯底項(xiàng)目B1棟順利封頂。此項(xiàng)目總體分為兩個(gè)項(xiàng)目標(biāo)段,總面積約5.8萬㎡,項(xiàng)目于2023年11月15日正式進(jìn)場(chǎng)施工。
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其中,重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目(生活服務(wù)設(shè)施區(qū))總建筑面積為2.08萬㎡,包括B1、B2棟、B3...  [詳內(nèi)文]
重慶三安半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目B1棟封頂 |
| 作者 chen, zac | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 02 日 18:00 | | 分類: 企業(yè) |
