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美國(guó)向韓國(guó)碳化硅晶圓廠(chǎng)提供39億貸款
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 15 日 17:59 | 分類(lèi) 企業(yè)
11月12日，美國(guó)能源部宣布向SK Siltron CCS提供5.44億美元（折合人民幣約39.32億元）貸款（4.815億美元本金和6250萬(wàn)美元資本化利息），以擴(kuò)大用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）電力電子設(shè)備的高質(zhì)量碳化硅（SiC）晶圓的在美制造。 公開(kāi)資料顯示，SK Siltron C...  [詳內(nèi)文]

廣東珠海100億碳化硅相關(guān)項(xiàng)目投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 15 日 17:58 | 分類(lèi) 功率
據(jù)珠海網(wǎng)消息，11月14日，總投資約100億元的珠海奕源半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目在金灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園開(kāi)工建設(shè)。 source：觀(guān)海融媒 據(jù)介紹，珠海奕源項(xiàng)目是北京奕斯偉集團(tuán)聚焦半導(dǎo)體行業(yè)上游先進(jìn)材料，在金灣區(qū)打造的集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售于一體的半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地。該項(xiàng)目由華發(fā)集團(tuán)戰(zhàn)略...  [詳內(nèi)文]

深重投國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)亮相
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 15 日 17:57 | 分類(lèi) 功率
11月15日，深重投集團(tuán)投建的國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)在中國(guó)國(guó)際高新技術(shù)成果交易會(huì)（簡(jiǎn)稱(chēng)：高交會(huì)）上，召開(kāi)建成發(fā)布會(huì)。 source：高交會(huì) 據(jù)介紹，建成發(fā)布的深圳綜合平臺(tái)具備碳化硅、氮化鎵及超寬禁帶功率材料與器件研發(fā)、集成設(shè)計(jì)及試制能力。 深圳綜合平臺(tái)主要由三...  [詳內(nèi)文]

國(guó)宇電子硅基GaN芯片項(xiàng)目簽約落地
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 14 日 10:49 | 分類(lèi) 企業(yè)
11月13日，據(jù)“揚(yáng)州經(jīng)開(kāi)區(qū)發(fā)布”官微消息，揚(yáng)州2024（北京）經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展匯報(bào)會(huì)于11月12日舉行。揚(yáng)州經(jīng)開(kāi)區(qū)現(xiàn)場(chǎng)簽約央企合作項(xiàng)目2個(gè)，總投資36億元，其中之一為中國(guó)電子科技集團(tuán)與綠投集團(tuán)國(guó)宇電子功率芯片項(xiàng)目。 source：揚(yáng)州經(jīng)開(kāi)區(qū)發(fā)布 該項(xiàng)目總投資11億元，其中一期項(xiàng)目...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)發(fā)布12英寸碳化硅襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 14 日 10:40 | 分類(lèi) 企業(yè)
11月14日，天岳先進(jìn)官微披露，2024德國(guó)慕尼黑半導(dǎo)體展覽會(huì)（Semicon Europe 2024）于11月12日正式開(kāi)幕，天岳先進(jìn)攜全系列碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)品亮相，并于11月13日發(fā)布了12英寸（300mm）N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底...  [詳內(nèi)文]

含溝槽柵碳化硅MOSFET，晶能、三菱電機(jī)、悉智科技發(fā)布新品
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
近日，晶能、三菱電機(jī)、悉智科技相繼發(fā)布了碳化硅功率器件/模塊新品，其中包括溝槽柵SiC-MOSFET。 晶能發(fā)布太乙混合功率器件，采用SiC&IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì) 11月12日，據(jù)晶能微電子官微消息，由吉利汽車(chē)集團(tuán)中央研究院新能源開(kāi)發(fā)中心、技術(shù)規(guī)劃中心、電子電器中心和零部件產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

碳化硅相關(guān)企業(yè)宏微科技、拓荊科技分別參股新公司
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
繼碳化硅器件廠(chǎng)商揚(yáng)杰科技在11月初成立一家新公司后，近日又有2家碳化硅相關(guān)企業(yè)宏微科技、拓荊科技分別參股成立了新公司。 企查查信息顯示，常州宏諾致遠(yuǎn)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）于11月5日成立，執(zhí)行事務(wù)合伙人為常州和諾資本管理有限公司，出資額4000萬(wàn)元，經(jīng)營(yíng)范圍含創(chuàng)業(yè)投資（限投...  [詳內(nèi)文]

印度開(kāi)發(fā)出4英寸碳化硅晶圓工藝
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:56 | 分類(lèi) 功率
據(jù)外媒報(bào)道，11月11日，印度國(guó)防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實(shí)驗(yàn)室已成功開(kāi)發(fā)出本土一種工藝，可以生長(zhǎng)和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達(dá)150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅，天科合達(dá)北京二期項(xiàng)目正式開(kāi)工
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 13 日 15:53 | 分類(lèi) 功率
11月12日，北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“天科合達(dá)”）“第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項(xiàng)目”開(kāi)工儀式在北京順利舉行。 source：天科合達(dá) 據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體此前報(bào)道，二期項(xiàng)目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程?hào)|側(cè)空地；項(xiàng)...  [詳內(nèi)文]

投資近5億，林眾電子碳化硅相關(guān)項(xiàng)目正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2024 年 11 月 12 日 18:00 | 分類(lèi) 企業(yè)
11月11日，上海林眾電子科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：林眾電子）研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。 source：林眾電子 該中心位于上海市松江區(qū)，占地35畝，總投資近5億元人民幣，建筑面積近6萬(wàn)平方米，建成后將可容納超過(guò)30條自動(dòng)化生產(chǎn)線(xiàn)，其功率模組年產(chǎn)能將達(dá)到3000萬(wàn)顆，芯片類(lèi)型包...  [詳內(nèi)文]