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擴(kuò)產(chǎn)SiC，三菱電機(jī)300億日元債券獲投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 17 日 8:25 | 分類 企業(yè)
1月15日，日本索尼銀行發(fā)布消息稱，該銀行已經(jīng)對(duì)三菱電機(jī)發(fā)行的綠色債券進(jìn)行了投資。據(jù)悉，該綠色債券由三菱電機(jī)于2023年12月18日發(fā)行，年限為5年，發(fā)行額度為300億日元（約合14.75億人民幣），籌集資金將用于三菱電機(jī)的SiC功率半導(dǎo)體制造的設(shè)備投資、研發(fā)以及投融資。 so...  [詳內(nèi)文]

飛仕得SiC測(cè)試設(shè)備成功認(rèn)定浙江省首臺(tái)（套）裝備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 17:50 | 分類 企業(yè)
1月15日，杭州飛仕得科技股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“飛仕得”）官微發(fā)文稱，公司的SiC器件智能動(dòng)態(tài)測(cè)試裝備成功入選并被認(rèn)定為浙江省首臺(tái)（套）裝備。 據(jù)介紹，SiC器件智能動(dòng)態(tài)測(cè)試設(shè)備是飛仕得總結(jié)10多年SiC MOSFET/IGBT應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)開(kāi)發(fā)的功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，并經(jīng)歷了...  [詳內(nèi)文]

新增訂單約83.6億，中微公司2023年凈利預(yù)增超45%
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 17:24 | 分類 企業(yè)
1月14日，中微公司發(fā)布2023年年度業(yè)績(jī)預(yù)告稱，公司預(yù)計(jì)2023年?duì)I業(yè)收入約62.6億元，較2022年增加約15.2億元，同比增長(zhǎng)約32.1%。其中，2023 年刻蝕設(shè)備銷售約 47.0 億元，同比增長(zhǎng)約 49.4%；MOCVD 設(shè)備銷售約 4.6 億元，同比下降約 34.0%...  [詳內(nèi)文]

“移族”獲數(shù)千萬(wàn)元融資，氮化鎵加速進(jìn)入儲(chǔ)能領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 16:28 | 分類 氮化鎵GaN
作為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”之一，氮化鎵能突破硅的理論極限，滿足市場(chǎng)對(duì)功率半導(dǎo)體更低功耗、更高功率密度、更環(huán)保的需求，是當(dāng)下熱門的技術(shù)，在資本市場(chǎng)備受青睞。 而隨著技術(shù)的成熟，氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域早已突破了消費(fèi)電子，向數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域拓展。其中，儲(chǔ)能領(lǐng)域市場(chǎng)廣闊，資...  [詳內(nèi)文]

宏微科技公開(kāi)SiC功率MOSFET器件專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 18:05 | 分類 企業(yè)
天眼查資料顯示，1月12日，宏微科技公開(kāi)一項(xiàng)“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利，申請(qǐng)公布號(hào)為CN117393605A，申請(qǐng)日期為2023年11月7日。 圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率...  [詳內(nèi)文]

投資近20億，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將建新工廠
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 18:00 | 分類 企業(yè)
1月15日消息，日本晶圓設(shè)備制造商Disco將在日本廣島縣建設(shè)一家工廠，生產(chǎn)用于加工晶圓的一種組件。Disco預(yù)計(jì)投資超過(guò)400億日元（約合19.78億人民幣），計(jì)劃最早于2025年開(kāi)始建設(shè)。新工廠將生產(chǎn)用于切割、研磨和拋光過(guò)程的切割輪，到2035年，該公司的產(chǎn)能將提高14倍。 ...  [詳內(nèi)文]

芯片材料廠Resonac欲收購(gòu)光刻膠巨頭股份
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 17:45 | 分類 企業(yè)
日本芯片材料廠商Resonac的首席執(zhí)行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業(yè)的另一輪整合做準(zhǔn)備，并表示公司可能會(huì)出手收購(gòu)JSR的關(guān)鍵股份。 Hidehito Takahashi表示，JIC（日本投資公司）斥60億美元收購(gòu)全球最大光刻膠制造商JSR，這...  [詳內(nèi)文]

日本DISCO推出新型SiC切割設(shè)備，速度提高10倍
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 12 日 17:06 | 分類 企業(yè)
日本晶圓設(shè)備制造商DISCO于2023年12月推出新型碳化硅（SiC）切割設(shè)備DDS2020，支持切割8英寸SiC材料，可將SiC晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。 source：DISCO 據(jù)介紹，SiC材質(zhì)偏硬加工難度較大，DDS2020晶圓切割設(shè)備采用了新的斷...  [詳內(nèi)文]

Transphorm為何會(huì)被瑞薩電子選中？
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 12 日 17:04 | 分類 企業(yè)
1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元（約24.27億人民幣）。 source：瑞薩電子 瑞薩電子表...  [詳內(nèi)文]

環(huán)球晶圓已與客戶簽合作長(zhǎng)約，持續(xù)強(qiáng)化SiC布局
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 12 日 16:20 | 分類 企業(yè)
環(huán)球晶圓今年持續(xù)強(qiáng)化在化合物半導(dǎo)體的布局，預(yù)估今年碳化硅（SiC）產(chǎn)能翻倍。隨著6吋碳化硅襯底產(chǎn)能的提升，再加上電動(dòng)車的需求相比之前稍有緩解，今年SiC襯底價(jià)格會(huì)面臨下滑的壓力。展望未來(lái)，環(huán)球晶圓本身制造上的良率提高，成本也隨之下降，對(duì)毛利率的影響不大，加上環(huán)球晶圓已與一線大廠簽...  [詳內(nèi)文]