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?斥111億擴(kuò)產(chǎn)，中車時(shí)代擬增資擴(kuò)股引入戰(zhàn)投
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 08 日 17:10 | 分類 碳化硅SiC
6月6日，時(shí)代電氣發(fā)布公告稱，下屬控股子公司株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中車時(shí)代”）擬開(kāi)展增資擴(kuò)股引入戰(zhàn)略投資者工作，目的是解決資金問(wèn)題，以應(yīng)對(duì)擴(kuò)產(chǎn)的迫切需求。 根據(jù)中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)最新統(tǒng)計(jì)顯示，2022年中國(guó)新能源汽車持續(xù)爆發(fā)式增長(zhǎng)，產(chǎn)銷分別完成705.8萬(wàn)輛和688...  [詳內(nèi)文]

倒計(jì)時(shí)7天！碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體領(lǐng)軍人物齊聚深圳
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 08 日 17:09 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2023年6月15日，TrendForce集邦咨詢將在深圳福田JW萬(wàn)豪酒店舉辦“第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”。 目前，最新議程出爐！會(huì)議匯集華燦光電、英諾賽科、納設(shè)智能、國(guó)星光電、天科合達(dá)、芯聚能、Wolfspeed、爍科晶體、AIXTRON、泰科天潤(rùn)、珠海鎵未來(lái)、三菱電機(jī)、天域...  [詳內(nèi)文]

PCIM Asia 2023迎來(lái)多家全新展商 同期高端論壇深耕電力電子四大熱點(diǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 08 日 10:52 | 分類 產(chǎn)業(yè)
電力電子行業(yè)的領(lǐng)航展會(huì)PCIM Asia – 上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)將于2023年8月29至31日重臨上海新國(guó)際博覽中心。本屆展會(huì)除將迎來(lái)多家首度參展的領(lǐng)先企業(yè)，同期還將舉辦四個(gè)高端論壇，深入探討電力電子行業(yè)四大熱門(mén)議題，包括交通電氣化、新能源開(kāi)發(fā)、電...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】三菱電機(jī)：三菱電機(jī)SiC功率芯片和功率模塊最新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 07 日 16:50 | 分類 碳化硅SiC
近年來(lái)，以碳化硅（SiC）為首的第三代半導(dǎo)體憑借禁帶寬大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，成為能源、交通、信息、國(guó)防等領(lǐng)域的“熱門(mén)材料”，也成為各國(guó)群雄逐鹿之地。 三菱電機(jī)近年來(lái)持續(xù)發(fā)力SiC功率模塊市場(chǎng)，其產(chǎn)品在高鐵、高壓工業(yè)應(yīng)用和家電領(lǐng)域具備豐富的經(jīng)驗(yàn)。公司在2010年推...  [詳內(nèi)文]

又兩家SiC企業(yè)獲融資，今年以來(lái)產(chǎn)業(yè)融資超33億元
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 07 日 16:49 | 分類 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。目前，國(guó)內(nèi)政策利好，企業(yè)紛紛入局，人們對(duì)碳化硅在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場(chǎng)合的應(yīng)用前景寄予厚望。SiC領(lǐng)域?qū)沂苜Y本青睞，融資不斷。 近日，又兩家SiC企業(yè)宣布獲得融資。據(jù)化合物半導(dǎo)...  [詳內(nèi)文]

收入超350億，三安和意法半導(dǎo)體在中國(guó)建SiC廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 07 日 16:48 | 分類 碳化硅SiC
今日，意法半導(dǎo)體在官網(wǎng)宣布，將與三安光電在中國(guó)成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計(jì)2025年第四季度投產(chǎn)，到2030年碳化硅收入將超過(guò)50億美元（約合人民幣：356.24億元）。 據(jù)透露，該合資廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元（約228.2億人民幣），計(jì)劃于2025年第四季...  [詳內(nèi)文]

【會(huì)議預(yù)告】泰科天潤(rùn)：我們需要怎樣的SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:26 | 分類 企業(yè)
功率半導(dǎo)體器件是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。其中，MOSFET因其具有易于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)，逐漸成為功率器件的主流產(chǎn)品。 與傳統(tǒng)的硅（Si）功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET具有大禁帶寬度、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率三個(gè)最顯著特征，適用于大功率且高效的各類應(yīng)用，...  [詳內(nèi)文]

聚焦微波/毫米波射頻芯片，仕芯半導(dǎo)體獲融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:25 | 分類 碳化硅SiC
近日，成都仕芯半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱“仕芯半導(dǎo)體”）完成最新一輪融資，投資方包括了成都高投電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。 仕芯半導(dǎo)體成立于2017年，位于成都高新西區(qū),是一家專業(yè)從事高端射頻、微波集成電路芯片、組件和系統(tǒng)解決方案的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)銷售的高新技術(shù)企業(yè)。 目前已成功開(kāi)發(fā)出20多個(gè)大類...  [詳內(nèi)文]

33萬(wàn)片/年！這個(gè)第三代半導(dǎo)體襯底項(xiàng)目封頂
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:24 | 分類 碳化硅SiC
6月2日，青島華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目封頂。 據(jù)悉，項(xiàng)目總投資7億元，位于青島高新區(qū)科海路以北、華貫路以西、茂源路以東，占地面積約50畝，建筑面積6200平方米。項(xiàng)目共有4座單體，包括1棟辦公樓和3座廠房，預(yù)計(jì)今年年底前投入使用。 項(xiàng)目是青島市重點(diǎn)工程，將建設(shè)半導(dǎo)體...  [詳內(nèi)文]

中國(guó)臺(tái)灣首顆8英寸SiC襯底問(wèn)世，富士康版圖再擴(kuò)大
作者 |發(fā)布日期 2023 年 06 月 06 日 17:23 | 分類 碳化硅SiC
根據(jù)相關(guān)媒體報(bào)道，富士康旗下的子公司Taisic Materials（盛新材料科技）成功制造出了中國(guó)臺(tái)灣的首片8英寸SiC襯底，該公司此前僅有制造6英寸SiC襯底的能力。 盛新材料成立于2020年，是中國(guó)臺(tái)灣為數(shù)不多可同時(shí)生產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底的廠商，其在高品質(zhì)長(zhǎng)晶...  [詳內(nèi)文]