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英諾賽科推出高性價比120W氮化鎵方案，采用TO封裝，效率達94.6%
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 10 日 15:11 | 分類 氮化鎵GaN
隨著終端產(chǎn)品對氮化鎵的加速應(yīng)用，氮化鎵市場規(guī)模進一步擴大。相較于硅，氮化鎵高頻率、小體積的優(yōu)勢不言而喻，但價格卻仍然讓許多方案廠商猶豫不決。英諾賽科坐擁全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造基地，規(guī)?；慨a(chǎn)使氮化鎵成本在行業(yè)中具備較強的競爭優(yōu)勢。 近期還推出了采用TO252 / TO...  [詳內(nèi)文]

宏微科技2022年幾款SiC混合模塊已批量出貨
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 17:31 | 分類 碳化硅SiC
近日，宏微科技組織參觀活動，在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，2022年公司幾款SiC混合模塊已批量出貨。自產(chǎn)的SiC SBD單管也在2022年年末有樣品在客戶端測試；SiC MOS也在流片中。 在公司的未來規(guī)劃中SiC占據(jù)非常重要的地位，但SiC產(chǎn)品的驗證與產(chǎn)能釋放都需要一定時間，公司的S...  [詳內(nèi)文]

2023年湖南電子信息制造業(yè)重點項目公布
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 17:30 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，湖南省工信廳發(fā)布，圍繞先進計算、新型顯示、能源電子等重點方向，今年鋪排42個電子信息制造業(yè)重點項目，單個項目投資均在5億元以上，總投資達1385億元。2023年度計劃投資473億元；項目建成達產(chǎn)后，預(yù)計可年新增營收1500億元以上。 其中，湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園項目（二期）、...  [詳內(nèi)文]

集邦咨詢：2023年SiC功率元件市場產(chǎn)值估將突破22億美元
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 14:25 | 分類 碳化硅SiC
第三代半導體包括碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），整體產(chǎn)值又以SiC占80%為重。SiC適合高壓、大電流的應(yīng)用場景，能進一步提升電動汽車與再生能源設(shè)備系統(tǒng)效率。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究統(tǒng)計，隨著安森美（onsemi）、英飛凌（Infineon）等與汽車、能源業(yè)者合作項...  [詳內(nèi)文]

SiC龍頭羅姆官宣兩則好消息
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 09 日 11:32 | 分類 碳化硅SiC
近日，羅姆（ROHM）接連發(fā)布了兩則好消息。一是其開發(fā)的SiC SBD成功應(yīng)用于村田制作所旗下企業(yè)的數(shù)據(jù)中心電源模塊；二是確立了一項技術(shù)，可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關(guān)器件的性能。 SiC SBD成功應(yīng)用于村田數(shù)據(jù)中心電源模塊 3月2日，羅姆宣布其開發(fā)的第3代SiC肖特基二極...  [詳內(nèi)文]

美國NI收購德國設(shè)備廠SET，發(fā)力汽車SiC市場
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
今年1月消息，美國自動測試及量測系統(tǒng)廠商NI（National Instruments，國家儀器）正在考慮出售。近日，NI又傳來了新消息，而這次是關(guān)乎并購另外一家設(shè)備公司。 3月6日，NI宣布已通過現(xiàn)金收購德國設(shè)備廠商SET GmbH，目標是縮短關(guān)鍵的高度差異化解決方案的上市時間...  [詳內(nèi)文]

總投資6億、年產(chǎn)3000片，博康嘉興氮化鎵項目開工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:20 | 分類 氮化鎵GaN
據(jù)“嘉興城南”官方消息，3月6日，博康（嘉興）半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目正式開工。 該項目總投資約6億元，占地面積46667平方米，將新建工業(yè)廠房30543平米，并引進光刻機、磁控濺射機等設(shè)備約100臺套，用于生產(chǎn)通信用氮化鎵射頻芯片先導線，預(yù)計年產(chǎn)能將為3000片。 項...  [詳內(nèi)文]

38億買入+25億投資，中瓷電子大手筆進軍第三代半導體
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 08 日 17:18 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著，而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日，中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復審核，其對第三代半導體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進展。 “蛇吞象”式并購，中瓷電子擬38億買入標的 3月6日晚間，中瓷電子發(fā)布公告稱，公司于2023年3月3日...  [詳內(nèi)文]

寶馬與安森美簽訂SiC長期供貨協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 07 日 15:13 | 分類 碳化硅SiC
今年以來，繼大眾之后，安森美昨日（3/6）宣布與寶馬（BMW AG）簽訂了長期供貨協(xié)議，未來將為寶馬400V直流母線電動動力傳動系統(tǒng)供應(yīng)EliteSiC碳化硅技術(shù)解決方案。 在汽車功率半導體領(lǐng)域，安森美已積累了數(shù)十年的功率器件技術(shù)開發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗，掌握著出色的封裝工藝技術(shù)，以及各...  [詳內(nèi)文]

中國臺灣中山大學突破6英寸碳化硅晶體生長
作者 |發(fā)布日期 2023 年 03 月 07 日 13:54 | 分類 碳化硅SiC
今日，據(jù)臺媒報道，臺灣中山大學晶體研究中心已成功長出6吋導電型4H碳化硅單晶，中心厚度為19mm，邊緣約為14mm，生長速度達到370um／hr，晶體生長速度更快且具重復性，這標志著臺灣地區(qū)第三代半導體碳化硅向前推進的進程。 碳化硅作為第三代半導體的代表，具有耐高壓、耐高溫、高頻...  [詳內(nèi)文]