最新文章

深圳大學獲批全國重點實驗室
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 05 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)報道，近日，深圳大學2022年牽頭或參與申報全國重點實驗室6項，其中牽頭組建申報的“射頻異質異構集成全國重點實驗室”已獲批立項建設。該實驗室系深圳大學建校以來的首個全國重點實驗室，也實現(xiàn)了深圳本土高校“零的突破”。 據(jù)介紹，射頻異質異構集成重點實驗室經(jīng)國家有關部委批準立項，由深...  [詳內文]

碳化硅賽道“跑馬圈地”，國產企業(yè)競爭力如何？
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 05 日 10:07 | 分類 碳化硅SiC
碳化硅作為目前半導體產業(yè)最熱門的賽道之一，吸引了無數(shù)成名已久的IDM大廠、Fabless企業(yè)，以及許許多多的初創(chuàng)新銳力量參與其中。紛至沓來的企業(yè)攜帶著資本、比拼著技術，試圖在碳化硅價值鏈的方方面面獲得突破，一場全球范圍內的競爭卡位賽已然被觸發(fā)。 但在當下，碳化硅領域仍以國際企業(yè)占...  [詳內文]

河南新鄉(xiāng)簽約第三代顯示半導體和電子新材料產業(yè)園項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 04 日 17:25 | 分類 碳化硅SiC
2022年12月28日，河南省新鄉(xiāng)市紅旗開發(fā)區(qū)舉行第三代顯示半導體和電子新材料產業(yè)園項目簽約儀式。 圖片來源：新鄉(xiāng)市工業(yè)和信息化局 據(jù)悉，第三代顯示半導體和電子新材料產業(yè)園項目由河南紅旗區(qū)與中科世華（深圳）技術有限公司共同投資，占地約100畝，主要以生產MLED直顯和背光產品、...  [詳內文]

聚焦碳化硅，兩家企業(yè)獲投資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 04 日 16:33 | 分類 碳化硅SiC
碳化硅具備極好的耐壓性、導熱性和耐熱性，是制造功率器件、大功率射頻器件的突破性材料。當下，圍繞碳化硅，資本市場正掀起一波投資熱潮。近日，寬能半導體、和研科技便分別獲得新一輪投資。 寬能半導體 根據(jù)開弦資本官方消息，公司與南京寬能半導體有限公司（以下簡稱：寬能半導體）于?2022年...  [詳內文]

多元化GaN設計，市場進入高速成長期
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 04 日 16:33 | 分類 氮化鎵GaN
功率半導體市場持續(xù)成長 GaN最具爆發(fā)力 全球電力設備數(shù)量與規(guī)格不斷提升，帶動功率半導體需求持續(xù)成長，且在第三類半導體材料導入下，整體市場蓬勃發(fā)展；其中，全球GaN功率半導體市場規(guī)模預計從2021年1.1億美元成長到2025年13.2億美元，CAGR達86%。因基期較低，GaN成...  [詳內文]

超芯星完成億元B輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 04 日 13:45 | 分類 碳化硅SiC
2023年1月1日，根據(jù)江蘇超芯星半導體有限公司（以下簡稱：超芯星）官方消息，公司近日完成億元B輪融資。 超芯星介紹，本輪融資由渶策資本領投，浙江創(chuàng)智、大有資本、佳銀資本跟投，多維資本鼎力支持；融資資金將用于超芯星二期項目的擴產、運營以及研發(fā)的持續(xù)投入。 Source：拍信網(wǎng) ...  [詳內文]

賽微電子北京8英寸BAW濾波器聯(lián)合產線正式通線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 03 日 18:10 | 分類 產業(yè)
2022年12月30日，賽微電子公告稱，公司與武漢敏聲合作共建的北京8英寸BAW濾波器聯(lián)合產線實現(xiàn)通線。 8英寸BAW濾波器產線通線儀式（圖源：賽微電子） 據(jù)悉，BAW濾波器是實現(xiàn)5G無線通訊的核心器件，長期被海外廠商壟斷。2021年8月，賽微電子控股子公司賽萊克斯北京與怡格敏...  [詳內文]

晶盛機電即將發(fā)布6英寸雙片式碳化硅外延設備
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 03 日 18:05 | 分類 碳化硅SiC
2023年1月1日，根據(jù)晶盛機電官微消息，晶盛機電將在2023年新春期間舉辦新品發(fā)布會，屆時將推出6英寸雙片式碳化硅外延設備新品。 圖源：晶盛機電 據(jù)了解，晶盛機電是國內領先的專注于“先進材料、先進裝備”的高新技術企業(yè)，目前已逐步形成了先進材料、先進裝備雙引擎可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略定...  [詳內文]

總投資2.5億，半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目竣工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 03 日 18:00 | 分類 碳化硅SiC
2022年12月30日，2022年株洲市項目建設“百日攻堅”行動重大項目開竣工活動正式舉行。活動現(xiàn)場共有76個項目集中開竣工，總投資306.9億元，半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目便是其中一個。 據(jù)悉，SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關鍵耗材。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，只能...  [詳內文]

第三代半導體正在走向“巔峰”
作者 |發(fā)布日期 2023 年 01 月 03 日 15:36 | 分類 碳化硅SiC
第三代半導體碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)具備高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等物理特性，因此其天然適合對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件要求較高的應用，被視為電力電子領域的顛覆性技術。 4月29日，TrendForce集邦咨詢化合物半導體分析師龔瑞驕在“...  [詳內文]