近日,杭州鎵仁半導(dǎo)體宣布,其依托氧化鎵厚膜外延核心工藝迭代,正式對外推出全新高性能氧化鎵薄膜外延片產(chǎn)品,產(chǎn)品面向高壓功率、射頻探測芯片研發(fā)提供國產(chǎn)核心材料支撐。
本次新品基于企業(yè)自研鑄造法單晶生長與定制化MOCVD外延工藝打造,多項關(guān)鍵性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水準(zhǔn)。晶圓多點XRD搖擺...  [詳內(nèi)文]
鎵仁半導(dǎo)體推出高性能氧化鎵薄膜外延新品 |
| 作者 KikiWang|發(fā)布日期 2026 年 07 月 09 日 14:45 | 分類 氧化鎵 |
