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雷軍再談新一代小米SU7汽車“752V、897V碳化硅高壓平臺”
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 16 日 15:01 | 分類 碳化硅SiC
1月15日，小米創(chuàng)辦人、董事長兼CEO雷軍在當日的晚間直播中談及了小米SU7汽車“752V、897V碳化硅高壓平臺” 。 雷軍表示，現(xiàn)在小米反小字營銷，力求每一個事情都準確。新一代小米SU7汽車的“碳化硅高壓平臺”都明確到了752V、897V等具體數(shù)字，沒有叫800V或者900V...  [詳內(nèi)文]

聚焦12英寸SiC，16家國內(nèi)廠商“群雄并起”
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 16 日 14:56 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
回顧2025年，這是被全球半導體界公認為“12英寸碳化硅（SiC）元年”的一年。在新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通與可再生能源等高端應(yīng)用需求的強力驅(qū)動下，全球?qū)捊麕О雽w產(chǎn)業(yè)迎來關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點——12英寸（300mm）碳化硅技術(shù)從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化。 如果說此前十年，行業(yè)關(guān)注的焦點是如何...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技披露2026年四大進展
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 15 日 15:46 | 分類 企業(yè)
2026年1月9日，珂瑪科技在投資者交流活動中系統(tǒng)披露了可轉(zhuǎn)債進展、產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品性能及外延并購四大關(guān)切。 圖片來源：珂瑪科技公告截圖 另外，珂瑪科技在投資者交流活動中系統(tǒng)披露了可轉(zhuǎn)債進展、產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品性能及外延并購四大關(guān)切。 公司表示，可轉(zhuǎn)債申請已獲深交所受理并正處審核階段...  [詳內(nèi)文]

上交所2026年首單IPO過會，花落功率半導體廠商
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 15 日 15:41 | 分類 企業(yè)
1月14日，上交所上市審核委員會召開2026年第1次上市審核委員會審議會議，審議蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司（以下簡稱“聯(lián)訊儀器”）首發(fā)事項，最終公司順利過會。業(yè)界指出，這是上交所2026年首單IPO過會。 圖片來源：公告截圖 資料顯示，聯(lián)訊儀器是國內(nèi)高端測試儀器設(shè)備企業(yè)，主營業(yè)務(wù)...  [詳內(nèi)文]

碳化硅迎“開門紅”，多個項目獲新進展
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 15 日 15:35 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
2026年開年以來，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來“開門紅”，項目落地與產(chǎn)能釋放節(jié)奏持續(xù)加快。從安徽10億元碳化硅項目簽約、云南基礎(chǔ)制品項目環(huán)評落地到威海車規(guī)級模塊產(chǎn)線滿負荷運轉(zhuǎn)，碳化硅項目多點開花，彰顯了碳化硅作為第三代半導體核心材料的戰(zhàn)略價值與市場活力。 安徽10億元碳化硅項目簽約 1月...  [詳內(nèi)文]

落戶武漢光谷！芯聯(lián)集成與湖北九峰山實驗室等簽約
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 14 日 13:58 | 分類 企業(yè)
1月10日，芯聯(lián)集成、星宇股份與湖北九峰山實驗室在武漢簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。 根據(jù)協(xié)議，三方將同相關(guān)方共同出資設(shè)立“武漢星曦光科技有限公司”。未來，三方將整合各自在車載照明、芯片研發(fā)制造及化合物半導體研發(fā)的優(yōu)勢，通過技術(shù)協(xié)同打破壁壘，共同推進Micro-LED車載照明、光通信、AI顯...  [詳內(nèi)文]

“廣東省化合物功率半導體中試平臺”正式獲批
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 14 日 13:55 | 分類 功率
近期，廣東省發(fā)展和改革委員會公布2025年度廣東省中試平臺遴選結(jié)果，深圳平湖實驗室聯(lián)合深圳市鵬進高科技有限公司 聯(lián)合共同建設(shè)的“化合物功率半導體中試平臺”成功入選。 圖片來源：2025年度廣東省中試平臺認定名單截圖 此次獲批的“廣東省化合物功率半導體中試平臺”具備研發(fā)、中試與產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

晶盛機電、Wolfspeed同傳捷報！12英寸碳化硅再迎技術(shù)突破
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 14 日 13:49 | 分類 碳化硅SiC
近期，全球碳化硅領(lǐng)域喜訊頻傳，國內(nèi)與國際頭部企業(yè)相繼在12英寸碳化硅技術(shù)上實現(xiàn)關(guān)鍵突破。 國內(nèi)方面，晶盛機電子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實現(xiàn)12英寸碳化硅襯底TTV≤1μm突破；國際方面，Wolfspeed宣布成功制造出單晶12英寸碳化硅晶圓。 01、晶盛機電實現(xiàn)12英寸碳化硅...  [詳內(nèi)文]

瞄準碳化硅等業(yè)務(wù)，中科光智成都子公司開業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 13 日 15:45 | 分類 碳化硅SiC
近期，中科光智（成都）科技有限公司正式開業(yè)，這是中科光智全國戰(zhàn)略布局在西部落下的關(guān)鍵一子，旨在打造半導體先進封裝裝備研發(fā)制造基地與產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)平臺，深度融入成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟圈建設(shè)，賦能區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。 中科光智成都子公司主要聚焦研發(fā)與制造高精度貼片機、光通信封裝關(guān)鍵設(shè)...  [詳內(nèi)文]

芯粵能、頂立科技等7家企業(yè)公布SiC專利
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 13 日 15:41 | 分類 碳化硅SiC
在第三代半導體產(chǎn)業(yè)加速推進的背景下，碳化硅（SiC）作為核心材料的技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)突破。據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，近期國內(nèi)碳化硅領(lǐng)域共有7項關(guān)鍵專利集中公開或授權(quán)，覆蓋襯底制備、功率器件結(jié)構(gòu)、單晶生長設(shè)備及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，其中襯底絕緣層創(chuàng)新、高精度光柵制備及熱場控制技術(shù)成為亮...  [詳內(nèi)文]