近期，氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展勢頭強(qiáng)勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項目全面達(dá)產(chǎn)，在產(chǎn)能建設(shè)與市場拓展方面成果顯著；與此同時，東部高科650V GaN HEMT工藝開發(fā)進(jìn)入最終階段，并計劃推出專屬氮化鎵多項目晶圓項目，同時積極完善產(chǎn)能建設(shè)，兩大動態(tài)為氮化鎵產(chǎn)業(yè)注入新活力。

山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項目全面達(dá)產(chǎn)

近期，山東鎵數(shù)智能科技有限公司的氮化鎵單晶襯底項目已全面達(dá)產(chǎn)，該公司總經(jīng)理梁如儉介紹道，該項目規(guī)劃50條生產(chǎn)線，年產(chǎn)量可達(dá)10萬片氮化鎵單晶襯底。

上述項目位于臨沂電創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園，主要生產(chǎn)高亮度、高結(jié)晶質(zhì)量的2英寸GaN襯底，2024年規(guī)?；懂a(chǎn)，2025年5月開始試產(chǎn)沖刺，截至目前已建設(shè)10條國際領(lǐng)先的生產(chǎn)線。

該項目曾以畝均稅收50萬元、年產(chǎn)值2.3億元的經(jīng)濟(jì)效益榮獲臨沂市2024年度“十大好項目”，產(chǎn)品已于今年6月進(jìn)入中科院采購目錄，并已形成訂單。

另據(jù)山東鎵數(shù)董事馬賽賽表示，公司HVPE設(shè)備已實現(xiàn)三片同時生長，已具備六片生長的技術(shù)儲備，且可以生長出大尺寸的單晶襯底晶片。

東部高科：將推出專屬氮化鎵多項目晶圓（MPW）項目

近期，外媒報道，東部高科DB HiTek宣布，公司650VGaN HEMT工藝開發(fā)已進(jìn)入最終階段，計劃于10月底推出專屬氮化鎵多項目晶圓（MPW）項目。

與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，氮化鎵半導(dǎo)體在高壓、高頻及高溫工作環(huán)境下具備卓越性能，功率效率出眾。特別是650V增強(qiáng)型氮化鎵HEMT，憑借其高速開關(guān)性能與穩(wěn)健的運行穩(wěn)定性，成為電動汽車充電設(shè)施、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及先進(jìn)5G網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的理想選擇。

據(jù)悉，完成650V工藝開發(fā)后，DB HiTek還計劃在2026年底前推出200V GaN工藝及針對集成電路優(yōu)化的650V GaN工藝，并逐步拓展更廣泛的電壓范圍。

東部高科負(fù)責(zé)人透露，“通過新增氮化鎵工藝能力，我們將以更廣泛的技術(shù)組合增強(qiáng)市場競爭力。”

為支持以上舉措，東部高科還在進(jìn)一步完善產(chǎn)能建設(shè)。媒體報道，東部高科韓國忠清北道Fab2潔凈室設(shè)施正在擴(kuò)建，預(yù)計每月將新增約3.5萬片8英寸晶圓產(chǎn)能，用于氮化鎵、BCDMOS和碳化硅工藝的生產(chǎn)。擴(kuò)建完成后，DB HiTek的晶圓月總產(chǎn)能將提升23%，從15.4萬片增至19萬片。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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