文章分類： 企業(yè)

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠正式啟用

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 18 日 18:00 |
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11月15日，據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息，鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵二期工廠近日正式啟用。新工廠在晶體生長、晶圓加工和外延生長等關(guān)鍵環(huán)節(jié)引入了先進的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備，預(yù)計將顯著提升產(chǎn)能，以滿足全球市場對氧化鎵晶圓襯底和外延片的增長需求。 source：鎵仁半導(dǎo)體 據(jù)介紹，在二期工廠中，鎵仁半導(dǎo)體自主...  [詳內(nèi)文]

碳化硅功率器件廠商基本半導(dǎo)體完成股份改制

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 18 日 18:00 |
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11月15日，據(jù)基本半導(dǎo)體官微披露，基本半導(dǎo)體成功完成股份改制及工商變更登記手續(xù)，公司名稱正式變更為“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 從11月15日起，基本半導(dǎo)體所有業(yè)務(wù)經(jīng)營活動將統(tǒng)一采用新名稱“深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科...  [詳內(nèi)文]

擬募資5.02億元，黃山谷捷創(chuàng)業(yè)板IPO注冊生效

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 18 日 18:00 |
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深交所披露信息顯示，黃山谷捷股份有限公司（以下簡稱：黃山谷捷）創(chuàng)業(yè)板IPO已于11月6日注冊生效。 招股書顯示，黃山谷捷是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體模塊散熱基板研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術(shù)企業(yè)，系車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊散熱基板行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車領(lǐng)域，是新能...  [詳內(nèi)文]

廣州粵升半導(dǎo)體商宣布碳化硅外延設(shè)備大批量出貨

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 18 日 17:28 |
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11月18日，廣州粵升半導(dǎo)體設(shè)備有限公司（下文簡稱“廣州粵升”）宣布，公司已在今年9月實現(xiàn)碳化硅（SiC）外延設(shè)備的大批量出貨。 source：廣州粵升 廣州粵升表示，此批設(shè)備在第一代外延爐基礎(chǔ)上做了進一步優(yōu)化設(shè)計，具備生產(chǎn)高質(zhì)量、高穩(wěn)定性的外延片生產(chǎn)能力。 資料顯示，廣州粵升...  [詳內(nèi)文]

美國向韓國碳化硅晶圓廠提供39億貸款

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 15 日 17:59 |
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11月12日，美國能源部宣布向SK Siltron CCS提供5.44億美元（折合人民幣約39.32億元）貸款（4.815億美元本金和6250萬美元資本化利息），以擴大用于電動汽車（EV）電力電子設(shè)備的高質(zhì)量碳化硅（SiC）晶圓的在美制造。 公開資料顯示，SK Siltron C...  [詳內(nèi)文]

國宇電子硅基GaN芯片項目簽約落地

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 14 日 10:49 |
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11月13日，據(jù)“揚州經(jīng)開區(qū)發(fā)布”官微消息，揚州2024（北京）經(jīng)濟社會發(fā)展匯報會于11月12日舉行。揚州經(jīng)開區(qū)現(xiàn)場簽約央企合作項目2個，總投資36億元，其中之一為中國電子科技集團與綠投集團國宇電子功率芯片項目。 source：揚州經(jīng)開區(qū)發(fā)布 該項目總投資11億元，其中一期項目...  [詳內(nèi)文]

天岳先進發(fā)布12英寸碳化硅襯底

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 14 日 10:40 |
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11月14日，天岳先進官微披露，2024德國慕尼黑半導(dǎo)體展覽會（Semicon Europe 2024）于11月12日正式開幕，天岳先進攜全系列碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)品亮相，并于11月13日發(fā)布了12英寸（300mm）N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底...  [詳內(nèi)文]

投資近5億，林眾電子碳化硅相關(guān)項目正式啟用

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 12 日 18:00 |
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11月11日，上海林眾電子科技有限公司（以下簡稱：林眾電子）研發(fā)及智能質(zhì)造中心正式啟用。 source：林眾電子 該中心位于上海市松江區(qū)，占地35畝，總投資近5億元人民幣，建筑面積近6萬平方米，建成后將可容納超過30條自動化生產(chǎn)線，其功率模組年產(chǎn)能將達(dá)到3000萬顆，芯片類型包...  [詳內(nèi)文]

康佳進軍第三代半導(dǎo)體封測

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 12 日 14:55 | | 分類: 企業(yè)
11月8日，據(jù)鹽城網(wǎng)消息，康佳芯云半導(dǎo)體科技(鹽城)有限公司（下文簡稱“康佳芯云”）負(fù)責(zé)人在接受采訪時表示，公司正在推動對第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)，并增加投資以拓展產(chǎn)品線。 資料顯示，康佳芯云為康佳子公司，主攻存儲領(lǐng)域。旗下項目總投資20億元，占地100畝，總建筑面積10萬平方...  [詳內(nèi)文]

國星光電子公司開發(fā)出扇出型D-mode氮化鎵半橋模塊

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 11 月 11 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
11月8日，據(jù)國星光電官微消息，國星光電子公司風(fēng)華芯電近日開發(fā)出基于扇出面板級封裝的D-mode氮化鎵半橋模塊。據(jù)介紹，該模塊相對于傳統(tǒng)鍵合線框架封裝，模塊體積減少超67％，電路板布板面積降低30%。 source：國星光電 該模塊采用風(fēng)華芯電自主研發(fā)的扇出面板級封裝形式，其通...  [詳內(nèi)文]