最新文章

意法半導(dǎo)體2025年碳化硅將全面升級(jí)為8英寸

作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 14:17 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月28日,據(jù)韓媒報(bào)道,意法半導(dǎo)體(ST)將從明年第三季度開(kāi)始將其碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從6英寸升級(jí)為8英寸。該計(jì)劃旨在提高產(chǎn)量和生產(chǎn)率,以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格向市場(chǎng)供應(yīng)SiC功率半導(dǎo)體。 意法半導(dǎo)體功率分立與模擬產(chǎn)品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者...  [詳內(nèi)文]

14.5億!安世半導(dǎo)體將新建8英寸SiC和GaN產(chǎn)線

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:37 | 分類(lèi) 企業(yè)
6月27日,半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)宣布,計(jì)劃投資2億美元(約合人民幣14.5億元)開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等下一代寬帶隙半導(dǎo)體(WBG),并在德國(guó)漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。 同時(shí),硅(Si)二極管和晶體管的晶圓廠產(chǎn)能也將增加。這些投資是與漢堡經(jīng)濟(jì)...  [詳內(nèi)文]

VCSEL芯片廠商識(shí)光完成Pre-A+輪融資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 16:33 | 分類(lèi) 光電
6月27日,據(jù)和高資本官微消息,蘇州識(shí)光芯科技術(shù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)識(shí)光)于近日完成Pre-A+輪融資,本輪投資方包括和高資本、星奇基金等,融資資金將主要用于產(chǎn)品推進(jìn)和團(tuán)隊(duì)建設(shè)。 官網(wǎng)資料顯示,識(shí)光致力于為自動(dòng)駕駛、機(jī)器人、XR等終端應(yīng)用提供高性能、高可靠性和低成本的SPAD-So...  [詳內(nèi)文]

直擊深圳國(guó)際半導(dǎo)體展:42家三代半廠商亮點(diǎn)一覽

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 28 日 12:57 | 分類(lèi) 展會(huì)
6月26日,為期三天的SEMI-e 2024第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體展在深圳國(guó)際會(huì)展中心開(kāi)幕。本屆展會(huì)特設(shè)三館六大區(qū),覆蓋包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造與封裝、半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備與零部件、先進(jìn)材料、第三代半導(dǎo)體/IGBT、汽車(chē)半導(dǎo)體為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。 集邦化合物半導(dǎo)體走訪發(fā)現(xiàn),本屆SEMI-...  [詳內(nèi)文]

最高金額達(dá)10億,2家化合物半導(dǎo)體公司完成融資

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 27 日 17:55 | 分類(lèi) 射頻
無(wú)論是前端射頻器件還是垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL),二者都與GaN、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體材料有著千絲萬(wàn)縷的聯(lián)系。近日,這兩個(gè)領(lǐng)域各有一起融資案,融資金額最高達(dá)10億。 射頻廠商星曜半導(dǎo)體完成10億元融資 6月27日,國(guó)產(chǎn)TF-SAW射頻濾波器企業(yè)浙江星曜半導(dǎo)體有限公...  [詳內(nèi)文]

碳化硅新應(yīng)用,熱電池轉(zhuǎn)換效率創(chuàng)新高

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:33 | 分類(lèi) 功率
長(zhǎng)時(shí)間電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能將出現(xiàn)新的解方。美國(guó)密西根大學(xué)開(kāi)發(fā)的熱電池,其熱能轉(zhuǎn)換器效率達(dá)到44%,表現(xiàn)也優(yōu)于常見(jiàn)的蒸汽渦輪機(jī),其平均效率為35%。 太陽(yáng)能、風(fēng)力發(fā)電成本雖然快速下跌,但是只有再生能源價(jià)格下降還不夠,因?yàn)榫G能為間歇性能源,日落或是沒(méi)有風(fēng)的時(shí)候,還是需要“電池“等儲(chǔ)能系統(tǒng)輔助,...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN,BAE Systems宣布和格芯達(dá)成合作

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:31 | 分類(lèi) 功率
6月24日,BAE Systems宣布和GlobalFoundries(格芯)建立了合作伙伴關(guān)系,以加強(qiáng)美國(guó)國(guó)家安全項(xiàng)目的關(guān)鍵半導(dǎo)體供應(yīng)。根據(jù)該協(xié)議,兩家公司將就增加美國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新和制造的長(zhǎng)期戰(zhàn)略進(jìn)行合作,雙方共同目標(biāo)是推進(jìn)美國(guó)國(guó)內(nèi)芯片制造和封裝生態(tài)系統(tǒng),主要針對(duì)航空航天和國(guó)防系...  [詳內(nèi)文]

搭上AI快車(chē),第三代半導(dǎo)體要起飛了?

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:29 | 分類(lèi) 企業(yè)
第三代半導(dǎo)體功率器件主要以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能。 其中,SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,新能源汽車(chē)已成為其主要應(yīng)用市場(chǎng)之一。與硅基器件相比,SiC功率器件能更好地滿(mǎn)足高壓快充需求,助力新能源汽車(chē)延長(zhǎng)續(xù)...  [詳內(nèi)文]

120億+15億,國(guó)內(nèi)2個(gè)8英寸碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)新進(jìn)展

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 26 日 14:05 | 分類(lèi) 功率
近日,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目在海滄正式開(kāi)工。 該項(xiàng)目總投資120億元,建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線,建成后將形成年產(chǎn)72萬(wàn)片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。 該項(xiàng)目分兩期建設(shè),其中,一期項(xiàng)目總投資70億...  [詳內(nèi)文]

SiC半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶(hù)湖南株洲

作者 |發(fā)布日期 2024 年 06 月 25 日 18:00 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)
6月24日,湖南省功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)接會(huì)暨功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟第八屆發(fā)展戰(zhàn)略高峰論壇在株洲舉行。 會(huì)上,4個(gè)功率半導(dǎo)體項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)簽約,分別為特種變壓器智能制造基地項(xiàng)目、SiC半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地、沃坦科通信連接器項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體基板批量制造基地項(xiàng)目。 圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù) 其...  [詳內(nèi)文]