相關(guān)資訊：氮化鎵

兩家頭部大廠合作開發(fā)下一代氮化鎵功率器件
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 23 日 14:51 | 分類 氮化鎵GaN
近日，安森美（onsemi）正式宣布，已與全球領(lǐng)先的半導體制造商格芯（GlobalFoundries，GF）簽署合作協(xié)定。雙方將基于格芯先進的200毫米（8英寸）增強型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）制程技術(shù)，共同開發(fā)下一代氮化鎵功率元件。 圖片來源：安森...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵監(jiān)測系統(tǒng)成功落地國家能源集團項目
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 18 日 17:52 | 分類 氮化鎵GaN
近日，美鎵傳感在國家能源集團寧夏煤業(yè)有限責任公司棗泉煤礦順利完成“棗泉煤礦氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)”項目的安裝部署與驗收工作。該項目的成功投運，為煤礦電力系統(tǒng)的安全、穩(wěn)定、高效運行注入了科技新動能。 圖片來源：美鎵傳感 美鎵傳感是一家2022年成立的、聚焦氮化鎵相關(guān)傳感技術(shù)的創(chuàng)新...  [詳內(nèi)文]

小米手機射頻團隊氮化鎵研究取得重磅進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 16 日 15:37 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近期，小米手機射頻團隊論文成功入選全球半導體與電子器件領(lǐng)域頂會 IEDM 2025。 據(jù)悉，本屆IEDM上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的論文成功入選，率先報道了應用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器，并在GaN and III-V I...  [詳內(nèi)文]

關(guān)閉晶圓廠，巨頭撤場，GaN市場大動蕩？
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 16 日 15:23 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 化合物半導體 , 氮化鎵GaN
12月10日，恩智浦一紙關(guān)廠公告，疊加此前臺積電的代工停擺，給火熱的氮化鎵賽道澆了一盆冷水。然而，這種“巨頭離場”的表象之下，實則暗流涌動：英諾賽科在港交所敲鐘上市并大幅擴產(chǎn)，全球功率霸主英飛凌砸下50億歐元擴建馬來西亞超級工廠，德州儀器（TI）試圖用12英寸產(chǎn)線將成本殺至地板價...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵廠商獲2600萬美元融資，現(xiàn)代、起亞參投
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 15 日 15:21 | 分類 氮化鎵GaN
12月11日，以色列氮化鎵企業(yè)VisIC Technologies（簡稱“VisIC”）宣布，其B輪融資第二次交割已順利完成，本次融資總規(guī)模達2600萬美元。本輪融資由全球半導體領(lǐng)頭廠商牽頭領(lǐng)投，韓國汽車產(chǎn)業(yè)龍頭現(xiàn)代汽車公司與起亞汽車以戰(zhàn)略投資者身份聯(lián)合參與。 圖片來源：Vis...  [詳內(nèi)文]

順利裝車，新一代氮化鎵OBC落地長安汽車
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 11 日 14:53 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月9日，蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)股份有限公司（簡稱：聯(lián)合動力）與英諾賽科共同宣布，雙方共同研發(fā)的新一代6.6kW氮化鎵（GaN）車載充電系統(tǒng)（OBC）已成功在長安汽車量產(chǎn)車型上裝車應用。 圖片來源：英諾賽科 該系統(tǒng)采用#英諾賽科 650V高壓氮化鎵功率器件，創(chuàng)新整合車載充電器...  [詳內(nèi)文]

九峰山實驗室氮化鎵新突破！即將中試驗證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:52 | 分類 氮化鎵GaN
2025年12月4日，九峰山實驗室宣布了一項重大的科技突破——氮化鎵電源模塊的研發(fā)成功。該電源模塊只有拇指大小，100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費。 圖片來源：中國光谷 團隊負責人李...  [詳內(nèi)文]

新微半導體：氮化鎵功率全工藝平臺年產(chǎn)能突破60,000片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分類 氮化鎵GaN
近期，由臨港新片區(qū)管理委員會指導，新微半導體主辦的“氮化鎵驅(qū)動AI芯時代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會”成功舉行。 會上，新微半導體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺發(fā)布，同時該公司氮化鎵功率全工藝平臺實現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。 圖片來源：新微半導體 新微半導體指出...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科“朋友圈”+1，攜手安森美劍指200毫米氮化鎵技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:29 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過驗證的200毫米氮化鎵對硅工藝，擴大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。 圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖 此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、...  [詳內(nèi)文]

全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:17 | 分類 氮化鎵GaN
近日，廣東致能半導體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地。 圖片來源：廣東致能半導體官微 據(jù)介紹，致能半導體通過導入行業(yè)領(lǐng)先的制造工藝及創(chuàng)新的技術(shù)平臺，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學性能、制造一致性等核心指標方面均...  [詳內(nèi)文]