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12英寸氮化鎵再傳新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分類 氮化鎵GaN
近期，信越化學(xué)宣布，比利時(shí)微電子研究中心（imec）利用QST襯底[一種300mm氮化鎵(GaN)生長(zhǎng)襯底]制造出厚度為5μm的GaN HEMT結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)650V的高擊穿電壓。 資料顯示，QST襯底是由美國(guó)公司Qromis開(kāi)發(fā)的專用于GaN生長(zhǎng)的復(fù)合材料襯底。信越化學(xué)于20...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進(jìn) GaN/SiC 技術(shù)新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)重要技術(shù)進(jìn)展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級(jí)GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分類 碳化硅SiC
11月16日，芯聯(lián)集成宣布正式發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)，采用了8英寸更先進(jìn)制造技術(shù)，已達(dá)到全球領(lǐng)先水平。 據(jù)介紹，該技術(shù)平臺(tái)通過(guò)器件結(jié)構(gòu)與工藝制程的雙重優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標(biāo)，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大核心應(yīng)用場(chǎng)景，可廣泛應(yīng)用新能源汽車主驅(qū)、車載電源及...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破：揚(yáng)杰科技、南通三責(zé)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:30 | 分類 化合物半導(dǎo)體
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，成為各國(guó)競(jìng)相布局的關(guān)鍵領(lǐng)域。我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也在加速崛起，近期，揚(yáng)杰科技與南通三責(zé)在第三代半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展。 1、揚(yáng)杰科技斬獲權(quán)威機(jī)構(gòu)芯片國(guó)產(chǎn)化認(rèn)證 近期，中國(guó)質(zhì)量認(rèn)證中心（CQC）為揚(yáng)杰科技頒發(fā)全國(guó)...  [詳內(nèi)文]

兩條半導(dǎo)體行業(yè)高端生產(chǎn)線在沈陽(yáng)投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:22 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，沈陽(yáng)經(jīng)開(kāi)區(qū)落地兩條半導(dǎo)體高端零部件產(chǎn)線。遼寧漢京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地宣布，國(guó)內(nèi)首條“半導(dǎo)體碳化硅零部件生產(chǎn)線”和國(guó)內(nèi)首條“10nm級(jí)極高純石英生產(chǎn)線”已在沈陽(yáng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)正式投產(chǎn)。 圖片來(lái)源：遼寧省人民政府網(wǎng) 其中，備受關(guān)注的“半導(dǎo)體碳化硅零部件生產(chǎn)線”是遼寧漢京歷時(shí)三年自主...  [詳內(nèi)文]

涉及三安光電、天岳先進(jìn)等廠商，中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展出爐
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 14 日 18:01 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近期，第十一屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇召開(kāi)，會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)揭曉“2025年度中國(guó)第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”入選結(jié)果。 “全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)”、“萬(wàn)伏級(jí)SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”、“基于氮化鎵Micro-LED的高速...  [詳內(nèi)文]

巨風(fēng)半導(dǎo)體完成數(shù)億元融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 14 日 17:59 | 分類 企業(yè)
近日，高端功率半導(dǎo)體芯片企業(yè)——巨風(fēng)半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元人民幣的新一輪融資。本輪投資方為深創(chuàng)投、深重投、南山戰(zhàn)新投、澤奕資本等多家知名機(jī)構(gòu)。 資料顯示，巨風(fēng)半導(dǎo)體成立于2019年，專注于柵極驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片、功率器件、功率集成方案等業(yè)務(wù)，是國(guó)內(nèi)唯一一家自主研發(fā)全系列的驅(qū)動(dòng)I...  [詳內(nèi)文]

功率大廠公布2025財(cái)年財(cái)報(bào)：營(yíng)收39.43億歐元
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 14 日 16:56 | 分類 企業(yè)
近日，英飛凌公布了2025財(cái)年第四季度及2025全年財(cái)報(bào)（數(shù)據(jù)均截至2025年9月30日）。 數(shù)據(jù)顯示，2025財(cái)年第四季度英飛凌營(yíng)收為39.43億歐元，利潤(rùn)為7.17億歐元，利潤(rùn)率18.2%。2025財(cái)年英飛凌營(yíng)收為146.62億歐元，同比下降2%；利潤(rùn)為25.6億歐元；利潤(rùn)率...  [詳內(nèi)文]

昂坤視覺(jué)推出MicroLED專用外延檢測(cè)設(shè)備E3200micro
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 13 日 15:53 | 分類 企業(yè) , 光電
昂坤視覺(jué)近期推出了針對(duì)MicroLED外延檢測(cè)高端設(shè)備E3200micro，該設(shè)備在昂坤視覺(jué)上一代兩款藍(lán)綠光和紅光外延片檢測(cè)設(shè)備的基礎(chǔ)上，檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)重新做了設(shè)計(jì)和提升，在一臺(tái)設(shè)備上集成了表面缺陷和紅，藍(lán)和綠光外延片的熒光缺陷檢測(cè)。表面顆粒的最小精度達(dá)到了60nm，熒光缺陷像素分...  [詳內(nèi)文]

全球首座量子金剛石晶圓廠正式啟用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 13 日 14:19 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
11月6日，全球領(lǐng)先的大規(guī)?？刹渴鹗覝亟饎偸孔蛹夹g(shù)公司Quantum Brilliance宣布正式啟用其位于澳大利亞墨爾本的量子金剛石晶圓廠，這是世界上第一個(gè)致力于大規(guī)模生產(chǎn)量子級(jí)金剛石的商業(yè)設(shè)施。 資料顯示，Quantum Brilliance是2019年從澳大利亞國(guó)立大學(xué)的...  [詳內(nèi)文]